Транзистори - биполярни (BJT) - масиви

DMG504010R

DMG504010R

Част запас: 114873

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

За желание
XN0450500L

XN0450500L

Част запас: 4640

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA / 400mV @ 20mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V / 200 @ 500mA, 2V,

За желание
XP0555300L

XP0555300L

Част запас: 171227

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V,

За желание
UP0450100L

UP0450100L

Част запас: 4476

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V,

За желание
XP0250100L

XP0250100L

Част запас: 4386

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

За желание
DMA204A00R

DMA204A00R

Част запас: 127807

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 8mA, 400mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V,

За желание
MAT14ARZ-R7

MAT14ARZ-R7

Част запас: 10821

Тип транзистор: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 60mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 3nA,

За желание
MAT03FHZ

MAT03FHZ

Част запас: 4412

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 36V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

За желание
SSM2220SZ

SSM2220SZ

Част запас: 4484

Тип транзистор: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 36V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 36V,

За желание
ULN2003AIDG4

ULN2003AIDG4

Част запас: 101423

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

За желание
ULN2003V12DR

ULN2003V12DR

Част запас: 103562

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

За желание
ULN2003AINSR

ULN2003AINSR

Част запас: 177391

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

За желание
CMLT3906E TR

CMLT3906E TR

Част запас: 4425

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1V,

За желание
CMXT3906 TR

CMXT3906 TR

Част запас: 108013

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание
ZHB6790TC

ZHB6790TC

Част запас: 4462

Тип транзистор: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

За желание
ZDT751TC

ZDT751TC

Част запас: 4530

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

За желание
ZXTD617MCTA

ZXTD617MCTA

Част запас: 138

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

За желание
DMMT2907A-7

DMMT2907A-7

Част запас: 168515

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

За желание
ZXTC4591AMCTA

ZXTC4591AMCTA

Част запас: 178160

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

За желание
MMDT4146-7

MMDT4146-7

Част запас: 4600

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

За желание
ZDT619TC

ZDT619TC

Част запас: 4443

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

За желание
ZXT12P20DXTA

ZXT12P20DXTA

Част запас: 4422

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

За желание
ULN2002D1013TR

ULN2002D1013TR

Част запас: 196893

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

За желание
ULN2805A

ULN2805A

Част запас: 4469

Тип транзистор: 8 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

За желание
L604C

L604C

Част запас: 4425

Тип транзистор: 8 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 90V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 500µA, 300mA,

За желание
L6221CD

L6221CD

Част запас: 4458

Тип транзистор: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V,

За желание
ULQ2001A

ULQ2001A

Част запас: 136032

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

За желание
SG2823J

SG2823J

Част запас: 4440

Тип транзистор: 8 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 95V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

За желание
JAN2N2920U

JAN2N2920U

Част запас: 1510

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

За желание
HN2A01FU-Y(TE85L,F

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Част запас: 155823

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

За желание
HN4C51J(TE85L,F)

HN4C51J(TE85L,F)

Част запас: 171

Тип транзистор: 2 NPN (Dual) Common Base, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

За желание
HN2C01FU-Y(TE85L,F

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Част запас: 167274

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

За желание
NST3906DXV6T1G

NST3906DXV6T1G

Част запас: 189660

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание
PBSS4130PANP,115

PBSS4130PANP,115

Част запас: 126284

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 210 @ 500mA, 2V,

За желание
PIMT1,115

PIMT1,115

Част запас: 115958

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание
SMA4033

SMA4033

Част запас: 19111

Тип транзистор: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 4V,

За желание