Транзистори - биполярни (BJT) - масиви

XN0140100L

Част запас: 4370

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

За желание

XN0160200L

Част запас: 4462

Тип транзистор: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

За желание

XN0C30100L

Част запас: 197177

Тип транзистор: NPN, PNP Complementary Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

За желание

DMC202010R

Част запас: 195995

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

За желание

DME205010R

Част запас: 100353

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

За желание

DMA501010R

Част запас: 182168

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

За желание

DMC204B30R

Част запас: 151070

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 400mV @ 20mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V / 200 @ 500mA, 2V,

За желание

CMKT2222A TR

Част запас: 100559

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

За желание

MD2905A

Част запас: 4481

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

За желание

CMLT3946EG TR

Част запас: 176486

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 50mA / 200mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V / 150 @ 10mA, 1V,

За желание

CMLT5088E TR

Част запас: 102234

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

За желание

MPQ6002

Част запас: 15073

Тип транзистор: 2 NPN, 2 PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 30nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

За желание

Toshiba Semiconductor and Storage

MPQ6502

Част запас: 15042

Тип транзистор: 2 NPN, 2 PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 30nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

За желание

ULN2803APG,CN

Част запас: 4464

Тип транзистор: 8 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

За желание

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

Част запас: 4503

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

За желание

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

Част запас: 9904

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

За желание

STA421A

Част запас: 4446

Тип транзистор: 4 PNP (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 4V,

За желание

SMA4030

Част запас: 19418

Тип транзистор: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 4V,

За желание

SLA4041

Част запас: 26455

Тип транзистор: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 1.5A, 4V,

За желание

STA402A

Част запас: 20804

Тип транзистор: 4 PNP Darlington (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 10mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

За желание

ZDT6753TA

Част запас: 129865

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

За желание

ZDT651TA

Част запас: 4460

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

За желание

ZDT1147TC

Част запас: 4410

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 380mV @ 50mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

За желание

DMMT5551S-7-F

Част запас: 193699

Тип транзистор: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

За желание

ZDT694TC

Част запас: 5656

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V,

За желание

ZXTD1M832TA

Част запас: 4465

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 25nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V,

За желание