Транзистори - биполярни (BJT) - масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 39

ULN2004AIDR

Част запас: 179925

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

За желание

Texas Instruments

ULN2003ANE4

Част запас: 108492

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

За желание

Texas Instruments

ULN2003BDR

Част запас: 160363

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

За желание

Nexperia USA Inc.

PBSS5230PAP,115

Част запас: 148433

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 420mv @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

За желание

Nexperia USA Inc.

PUMX1,115

Част запас: 106417

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Nexperia USA Inc.

PHPT610030NPKX

Част запас: 121393

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 110mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 10V,

За желание

Nexperia USA Inc.

PBSS4112PANP,115

Част запас: 194119

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 2V,

За желание

Nexperia USA Inc.

PBSS4032SPN,115

Част запас: 155040

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5.7A, 4.8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 6A / 510mV @ 250mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

За желание

Nexperia USA Inc.

PMBT3946YPN,125

Част запас: 181115

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание

Panasonic Electronic Components

UP0453400L

Част запас: 4538

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V,

За желание

Panasonic Electronic Components

XN0B30100L

Част запас: 6508

Тип транзистор: NPN, PNP Complementary Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

За желание

Panasonic Electronic Components

DMA506010R

Част запас: 147841

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

За желание

Panasonic Electronic Components

UP0460100L

Част запас: 4382

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V / 180 @ 5mA, 10V,

За желание

Panasonic Electronic Components

UP04501G0L

Част запас: 4634

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V,

За желание

STMicroelectronics

ULN2003D1

Част запас: 4541

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

За желание

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919L

Част запас: 1586

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

За желание

Microsemi Corporation

JANSR2N2920U

Част запас: 4563

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

За желание

Microsemi Corporation

JANTXV2N6987

Част запас: 1339

Тип транзистор: 4 PNP (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

За желание

Microsemi Corporation

JANTX2N2920

Част запас: 204

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

За желание

Microsemi Corporation

JAN2N3811U

Част запас: 4458

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

За желание

Rohm Semiconductor

FMY5T148

Част запас: 168226

Тип транзистор: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

За желание

ON Semiconductor

MC1413PG

Част запас: 128529

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

За желание

ON Semiconductor

MMPQ2907A

Част запас: 96889

Тип транзистор: 4 PNP (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

За желание

Diodes Incorporated

ZXTD717MCTA

Част запас: 126820

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V,

За желание

Diodes Incorporated

ULN2003V12S16-13

Част запас: 132682

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

За желание

Diodes Incorporated

ZXTD718MCTA

Част запас: 103485

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 3.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

За желание

Diodes Incorporated

ZXTD6717E6TC

Част запас: 4441

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, 1.25A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V,

За желание

Diodes Incorporated

MMDT4126-7-F

Част запас: 124439

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

За желание

Diodes Incorporated

MMDT4124-7-F

Част запас: 119491

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

За желание

Diodes Incorporated

DSS45160FDB-7

Част запас: 130170

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V,

За желание

Diodes Incorporated

ZDT6757TA

Част запас: 4442

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

За желание

Central Semiconductor Corp

CMKT5078 TR

Част запас: 162501

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V / 250 @ 100µA, 5V,

За желание

Central Semiconductor Corp

CMKT3920 TR

Част запас: 186053

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

Част запас: 4497

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

За желание

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

Част запас: 4567

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

За желание

Analog Devices Inc.

MAT01GHZ

Част запас: 3902

Тип транзистор: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 400nA,

За желание