Транзистори - биполярни (BJT) - масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 39

QSX7TR

Част запас: 133111

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

FMW1T148

Част запас: 193173

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

FMY4AT148

Част запас: 115359

Тип транзистор: NPN, PNP Complementary Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

EMX5T2R

Част запас: 132191

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 11V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

За желание

Rohm Semiconductor

US6T9TR

Част запас: 144882

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

QSX8TR

Част запас: 124260

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

IMX5T108

Част запас: 149748

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 11V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

За желание

Rohm Semiconductor

QS6Z5TR

Част запас: 158820

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

QS5W2TR

Част запас: 188842

Тип транзистор: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

За желание

Rohm Semiconductor

IMX17T108

Част запас: 170021

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

За желание

Rohm Semiconductor

IMX3T108

Част запас: 188015

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

IMZ2AT108

Част запас: 189718

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

IMX1T108

Част запас: 134514

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

QSZ2TR

Част запас: 151664

Тип транзистор: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

IMZ4T108

Част запас: 137089

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

За желание

Rohm Semiconductor

UMZ1NTR

Част запас: 165705

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

UMZ2NTR

Част запас: 108768

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

QS5W1TR

Част запас: 144757

Тип транзистор: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

EMZ2T2R

Част запас: 102872

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Texas Instruments

ULN2003ADRG4

Част запас: 142447

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

За желание

Texas Instruments

ULN2003AIPWR

Част запас: 189360

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

За желание

Diodes Incorporated

MMDT3904-7-F

Част запас: 137638

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание

Diodes Incorporated

DMMT5551-7-F

Част запас: 182764

Тип транзистор: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

За желание

Diodes Incorporated

MMDT2227M-7

Част запас: 158166

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

За желание

Diodes Incorporated

MMDT2222V-7

Част запас: 145001

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

За желание

Diodes Incorporated

MMDT2907AQ-7-F

Част запас: 116803

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

За желание

Diodes Incorporated

MMDT5551-7-F

Част запас: 174855

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

За желание

Nexperia USA Inc.

PMBT3906VS,115

Част запас: 191209

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание

Nexperia USA Inc.

PUMZ1,115

Част запас: 145366

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Infineon Technologies

SMBT3904SH6327XTSA1

Част запас: 180805

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание

Infineon Technologies

SMBT3906SH6327XTSA1

Част запас: 136392

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание

Infineon Technologies

SMBT3906UE6327HTSA1

Част запас: 154530

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

Част запас: 175513

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

За желание

Panasonic Electronic Components

DMC206010R

Част запас: 130805

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

За желание

ON Semiconductor

ULN2003ADR2G

Част запас: 145782

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

За желание

ON Semiconductor

MBT3906DW1T2G

Част запас: 189131

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание