Транзистори - JFET

J3A080YXS/T0BY4AG0

Част запас: 3511

J175,116

Част запас: 3507

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 10nA,

J3A012YXS/T0BY4551

Част запас: 3486

J174,126

Част запас: 3496

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 10nA,

MMBF5484LT1G

Част запас: 3371

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 300mV @ 10nA,

J110RLRAG

Част запас: 3370

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

J177

Част запас: 3368

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 10nA,

J110_D75Z

Част запас: 3418

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,

PN4302

Част запас: 3352

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1nA,

J112

Част запас: 143677

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

J108_D27Z

Част запас: 3357

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 10nA,

PN4119

Част запас: 3372

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,

PN4091

Част запас: 3358

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 1nA,

FJN598JBBU

Част запас: 3487

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1µA,

TF262TH-4-TL-H

Част запас: 3436

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 200mV @ 1µA,

PN4118

Част запас: 3353

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1nA,

PN4117A_J61Z

Част запас: 3442

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1nA,

MMBFJ177LT1

Част запас: 3506

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 10nA,

TF202THC-3-TL-H

Част запас: 3405

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 200mV @ 1µA,

MMBFJ175

Част запас: 118669

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 10nA,

MMBF4393

Част запас: 133700

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1nA,

TF414T5G

Част запас: 139739

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1µA,

PN4393_D26Z

Част запас: 3434

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1nA,

MMBF5103

Част запас: 120554

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.2V @ 1nA,

MMBFU310LT1G

Част запас: 155085

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 1nA,

PN5432

Част запас: 3377

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 3nA,

J175

Част запас: 3377

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 10nA,

MMBF4092

Част запас: 199131

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,

J105

Част запас: 96371

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4.5V @ 1µA,

SST5484-E3

Част запас: 3467

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 300mV @ 10nA,

SST174-E3

Част запас: 3491

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 10nA,

SST4118-T1-E3

Част запас: 3419

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1nA,

U290

Част запас: 3416

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 3nA,

J203-18

Част запас: 3414

CP206-2N4393-CT

Част запас: 72

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1nA,

MX2N4858UB

Част запас: 3421