Транзистори - JFET

2SK34260TL

Част запас: 100643

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 107µA @ 2V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 2mA,

2SK880-Y(TE85L,F)

Част запас: 110749

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 50V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.5V @ 100nA,

2N4117A

Част запас: 18390

FET тип: N-Channel,

5185_2N4391

Част запас: 3455

8885_2N5115

Част запас: 3434

BF246B

Част запас: 3444

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 10nA,

BSR57

Част запас: 142649

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 0.5nA,

BF247A_J35Z

Част запас: 3374

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100nA,

BF246A_J35Z

Част запас: 3399

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100nA,

BF246B_J35Z

Част запас: 3444

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 10nA,

BSR58LT1G

Част запас: 3366

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 1µA,

BFR31LT1G

Част запас: 3431

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR31LT1

Част запас: 3382

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR30LT1

Част запас: 3407

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BFR30LT1G

Част запас: 3448

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BF247A

Част запас: 224

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100nA,

BF246A

Част запас: 3378

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100nA,

BSR56

Част запас: 141206

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 0.5nA,

BSR58

Част запас: 100259

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

J110

Част запас: 3443

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

TF256-3-TL-H

Част запас: 3442

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 2V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 100mV @ 1µA,

J176

Част запас: 3350

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 10nA,

P1086

Част запас: 3437

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 10V @ 1µA,

TIS75_D75Z

Част запас: 3417

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 4nA,

BFR31,235

Част запас: 109082

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR31,215

Част запас: 126893

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BSR57,215

Част запас: 126966

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BSR58,215

Част запас: 3330

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

BSR56,215

Част запас: 3328

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 20mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 0.5nA,

BFR30,235

Част запас: 193684

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BFR30,215

Част запас: 169728

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BFT46,215

Част запас: 107508

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.2V @ 0.5nA,

PMBFJ111,215

Част запас: 3326

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 10V @ 1µA,

PMBFJ176,215

Част запас: 3444

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 10nA,

BF246C

Част запас: 98657

MV2N4393UB

Част запас: 3415