Транзистори - JFET

MMBF4391

Част запас: 133772

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1nA,

TF412ST5G

Част запас: 184962

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 180mV @ 1µA,

J202_D27Z

Част запас: 3368

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 10nA,

JFTJ105

Част запас: 3431

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4.5V @ 1µA,

TF252TH-4-TL-H

Част запас: 3451

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 100mV @ 1µA,

FJX597JBTF

Част запас: 3389

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1µA,

J112RLRA

Част запас: 3445

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

J202_D74Z

Част запас: 3477

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 800mV @ 10nA,

TF252-4-TL-H

Част запас: 3458

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 100mV @ 1µA,

MPF4393

Част запас: 3385

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,

J111_D75Z

Част запас: 3434

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 1µA,

J112G

Част запас: 3431

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

J201_D27Z

Част запас: 3432

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 300mV @ 10nA,

J110G

Част запас: 3521

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

MPF4393RLRPG

Част запас: 3449

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,

PN4391

Част запас: 3393

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1nA,

P1086_D75Z

Част запас: 3402

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 10V @ 1µA,

J109

Част запас: 155883

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 10nA,

J110_D26Z

Част запас: 3458

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,

J111_D27Z

Част запас: 3418

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 1µA,

TF202THC-4-TL-H

Част запас: 3377

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 200mV @ 1µA,

SMMBF4393LT1G

Част запас: 107687

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 10nA,

MMBF5457

Част запас: 139477

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,

KSK596ABU

Част запас: 3426

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1µA,

MV2N4392UB

Част запас: 3458

MV2N4393

Част запас: 3427

MV2N4856

Част запас: 3480

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 10V @ 500pA,

MX2N4393UB

Част запас: 3485

PMBFJ110,215

Част запас: 137694

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1µA,

PMBFJ309,215

Част запас: 114569

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

J109,126

Част запас: 3345

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1µA,

PMBFJ308,215

Част запас: 188745

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

PMBF4392,215

Част запас: 3366

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,

U441

Част запас: 3399

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1nA,

U290-E3

Част запас: 3464

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 3nA,

CP210-2N4416-CT20

Част запас: 500

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 6V @ 1nA,