Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - JFET

2N4118A-2
Vishay Siliconix

2N4118A-2

Част запас: 3469

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1nA,

За желание
2N4117A-E3
Vishay Siliconix

2N4117A-E3

Част запас: 3467

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1nA,

За желание
2N4118A
Vishay Siliconix

2N4118A

Част запас: 3449

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1nA,

За желание
2N4117A-2
Vishay Siliconix

2N4117A-2

Част запас: 3464

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1nA,

За желание
2SK3796-2-TL-E
ON Semiconductor

2SK3796-2-TL-E

Част запас: 3405

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 180mV @ 1µA,

За желание
2SK3796-4-TL-E
ON Semiconductor

2SK3796-4-TL-E

Част запас: 3426

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 180mV @ 1µA,

За желание
2SK3666-4-TB-E
ON Semiconductor

2SK3666-4-TB-E

Част запас: 101963

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 10mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 180mV @ 1µA,

За желание
2SK715W-AC
ON Semiconductor

2SK715W-AC

Част запас: 3406

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 14.5mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

За желание
2SK715U-AC
ON Semiconductor

2SK715U-AC

Част запас: 3469

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7.3mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

За желание
2SK715V-AC
ON Semiconductor

2SK715V-AC

Част запас: 3461

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

За желание
2SK715W
ON Semiconductor

2SK715W

Част запас: 3372

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 14.5mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

За желание
2SK715U
ON Semiconductor

2SK715U

Част запас: 3435

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 15V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7.3mA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 50mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100µA,

За желание
2SK596S-B
ON Semiconductor

2SK596S-B

Част запас: 3432

FET тип: N-Channel, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 1mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1µA,

За желание
2SK771-5-TB-E
ON Semiconductor

2SK771-5-TB-E

Част запас: 3380

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 20mA,

За желание
2N5639
ON Semiconductor

2N5639

Част запас: 3367

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,

За желание
2N5462
ON Semiconductor

2N5462

Част запас: 3362

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.8V @ 1µA,

За желание
2N5639RLRAG
ON Semiconductor

2N5639RLRAG

Част запас: 3393

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,

За желание
2N5639G
ON Semiconductor

2N5639G

Част запас: 3405

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,

За желание
2N5638RLRA
ON Semiconductor

2N5638RLRA

Част запас: 3378

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,

За желание
2N5638RLRAG
ON Semiconductor

2N5638RLRAG

Част запас: 3376

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,

За желание
2N5461RLRAG
ON Semiconductor

2N5461RLRAG

Част запас: 3406

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

За желание
2N5462G
ON Semiconductor

2N5462G

Част запас: 3431

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.8V @ 1µA,

За желание
2N5461RLRA
ON Semiconductor

2N5461RLRA

Част запас: 3385

FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,

За желание
2N5639_D75Z
ON Semiconductor

2N5639_D75Z

Част запас: 3364

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,

За желание
2N5638_D26Z
ON Semiconductor

2N5638_D26Z

Част запас: 3373

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,

За желание
2N5459_D75Z
ON Semiconductor

2N5459_D75Z

Част запас: 3394

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 10nA,

За желание
2N5459_D27Z
ON Semiconductor

2N5459_D27Z

Част запас: 3400

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 10nA,

За желание
2N5459_D74Z
ON Semiconductor

2N5459_D74Z

Част запас: 3414

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 10nA,

За желание
2N5458_D27Z
ON Semiconductor

2N5458_D27Z

Част запас: 3411

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 10nA,

За желание
2N5458_D26Z
ON Semiconductor

2N5458_D26Z

Част запас: 3375

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 10nA,

За желание
2N5457_L99Z
ON Semiconductor

2N5457_L99Z

Част запас: 3425

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,

За желание
2SK3372GTL
Panasonic Electronic Components

2SK3372GTL

Част запас: 3415

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 107µA @ 2V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 2mA,

За желание
2SK3372GRL
Panasonic Electronic Components

2SK3372GRL

Част запас: 3446

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 107µA @ 2V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 2mA,

За желание
2SK3372GSL
Panasonic Electronic Components

2SK3372GSL

Част запас: 3381

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 107µA @ 2V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 2mA,

За желание
2SK0663GRL
Panasonic Electronic Components

2SK0663GRL

Част запас: 3375

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 30mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 10µA,

За желание
2SK2593GQL
Panasonic Electronic Components

2SK2593GQL

Част запас: 3452

FET тип: N-Channel, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Текущо изтичане (Id) - Макс: 30mA, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 10µA,

За желание