Оптични сензори - Фотопрекъсвачи - Тип слот - Тран

WF30-95B410

Част запас: 35

Сензорно разстояние: 1.181" (30mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: PNP/NPN,

WF2-95B416

Част запас: 77

Сензорно разстояние: 0.079" (2mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: PNP/NPN,

WF3T-B4210

Част запас: 29

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: PNP/NPN,

RPI-1050

Част запас: 111359

OPB872P51

Част запас: 6012

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB867P51

Част запас: 6020

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB875N55

Част запас: 5971

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB891T55

Част запас: 6101

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB870P51

Част запас: 6056

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB882L55Z

Част запас: 6071

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPBA302

Част запас: 5971

Сензорно разстояние: 0.2" (5.08mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Open Collector, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA,

OPB870T55TXV

Част запас: 334

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB872P51TX

Част запас: 322

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB871N51TXV

Част запас: 281

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB871L51TXV

Част запас: 354

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB875P11

Част запас: 3994

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB870P11

Част запас: 6082

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB865N11

Част запас: 26790

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB829BZ

Част запас: 21613

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB660T

Част запас: 40270

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Transistor, Base-Emitter Resistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V,

OPB840W51Z

Част запас: 17874

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB100-EZ

Част запас: 24043

Сензорно разстояние: 12" (304.8mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB870N55

Част запас: 38987

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB680

Част запас: 21104

Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: Transistor, Base-Emitter Resistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

QVB21114

Част запас: 9689

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H22A6

Част запас: 6073

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

PM-R44P-C3

Част запас: 6035

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

PM-U24-R

Част запас: 2086

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

HOA0875-L55

Част запас: 26929

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Transistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

HOA1875-003

Част запас: 5435

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V,

EE-SX1128

Част запас: 42770

Сензорно разстояние: 0.165" (4.2mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

EE-SG3-B

Част запас: 13033

Сензорно разстояние: 0.142" (3.6mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

EE-SX954P-R 1M

Част запас: 2532

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V,

EE-SX971-C1

Част запас: 2393

Сензорно разстояние: 0.020" (0.5mm), Метод на засичане: Transmissive, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H22A2

Част запас: 37418

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

GP1S562

Част запас: 51993

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V,