Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Оптични сензори - Отразяващи - Аналогов изход

2349
Adafruit Industries LLC

2349

Част запас: 37638

Метод на засичане: Reflective, Тип изход: Phototransistor,

За желание
APDS-9102-L22
Broadcom Limited

APDS-9102-L22

Част запас: 2779

Сензорно разстояние: 0.315" (8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
APDS-9101-L21
Broadcom Limited

APDS-9101-L21

Част запас: 2767

Сензорно разстояние: 0.472" (12mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
APDS-9103-L22
Broadcom Limited

APDS-9103-L22

Част запас: 2716

Сензорно разстояние: 0.394" (10mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
APDS-9104-L22
Broadcom Limited

APDS-9104-L22

Част запас: 4280

Сензорно разстояние: 0.472" (12mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB609RA
TT Electronics/Optek Technology

OPB609RA

Част запас: 2752

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB745
TT Electronics/Optek Technology

OPB745

Част запас: 27707

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
OPB700TX
TT Electronics/Optek Technology

OPB700TX

Част запас: 320

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB711
TT Electronics/Optek Technology

OPB711

Част запас: 30414

Сензорно разстояние: 0.080" (2.03mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB609AX
TT Electronics/Optek Technology

OPB609AX

Част запас: 2695

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB70FWZ
TT Electronics/Optek Technology

OPB70FWZ

Част запас: 16880

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Transistor,

За желание
OPB701
TT Electronics/Optek Technology

OPB701

Част запас: 2775

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 100mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
OPB700TXV
TT Electronics/Optek Technology

OPB700TXV

Част запас: 288

Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB730
TT Electronics/Optek Technology

OPB730

Част запас: 10232

Сензорно разстояние: 0.250" (6.35mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
OPB707C
TT Electronics/Optek Technology

OPB707C

Част запас: 31623

Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 125mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
OPB704GWZ
TT Electronics/Optek Technology

OPB704GWZ

Част запас: 21055

Сензорно разстояние: 0.149" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 6mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
OPB745W
TT Electronics/Optek Technology

OPB745W

Част запас: 2799

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
MTRS5250D
Marktech Optoelectronics

MTRS5250D

Част запас: 13013

Сензорно разстояние: 1.5mm, Метод на засичане: Reflective, Ток - DC напред (ако) (макс.): 20mA, Тип изход: Photodiode,

За желание
GP2S40JJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S40JJ000F

Част запас: 4316

Сензорно разстояние: 0.138" (3.5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
GP2S27T
Sharp Microelectronics

GP2S27T

Част запас: 2691

Сензорно разстояние: 0.031" (0.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
GP2L20R
Sharp Microelectronics

GP2L20R

Част запас: 2748

Сензорно разстояние: 0.512" (13mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
SFH 9202-5/6-Z
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 9202-5/6-Z

Част запас: 2689

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
SFH 9206-5/6
OSRAM Opto Semiconductors Inc.

SFH 9206-5/6

Част запас: 158565

Сензорно разстояние: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
EAITRDA6
Everlight Electronics Co Ltd

EAITRDA6

Част запас: 154360

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
ITR9907
Everlight Electronics Co Ltd

ITR9907

Част запас: 126354

Сензорно разстояние: 0.063" (1.6mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
EAITRDA8
Everlight Electronics Co Ltd

EAITRDA8

Част запас: 178661

Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
ITR20002-A
Everlight Electronics Co Ltd

ITR20002-A

Част запас: 152221

Сензорно разстояние: 0.236" (6mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
GP2S60B
SHARP/Socle Technology

GP2S60B

Част запас: 112842

Сензорно разстояние: 0.028" (0.7mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
CNB10010RL
Panasonic Electronic Components

CNB10010RL

Част запас: 2775

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
CNB13020R0LF
Panasonic Electronic Components

CNB13020R0LF

Част запас: 2765

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
CNB23010R
Panasonic Electronic Components

CNB23010R

Част запас: 2755

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
EE-SY169A-D
Omron Automation and Safety

EE-SY169A-D

Част запас: 3844

Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
EE-SY193
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY193

Част запас: 93365

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 18V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 25mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
HOA0149-501
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA0149-501

Част запас: 18766

Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание
HOA1406-003
Honeywell Sensing and Productivity Solutions

HOA1406-003

Част запас: 2610

Сензорно разстояние: 0.120" (3.05mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,

За желание
QRE00034
ON Semiconductor

QRE00034

Част запас: 2759

Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,

За желание