Оптични сензори - Фотопрекъсвачи - Тип слот - Тран

OPB880P55Z

Част запас: 20356

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB800L51

Част запас: 32075

Сензорно разстояние: 0.375" (9.53mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB876T55

Част запас: 34276

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB842W51Z

Част запас: 19424

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB365P55

Част запас: 29903

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPS691

Част запас: 85168

Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB891T51Z

Част запас: 20370

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB812W55Z

Част запас: 19286

Сензорно разстояние: 0.375" (9.53mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB825B

Част запас: 47883

Сензорно разстояние: 0.160" (4.06mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB855

Част запас: 40968

Сензорно разстояние: 0.205" (5.21mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB828C

Част запас: 42099

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB890L11Z

Част запас: 17397

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB880T51Z

Част запас: 19265

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB390T51Z

Част запас: 17988

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB370N11

Част запас: 33627

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB420BZ

Част запас: 16131

Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 20mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V,

За желание

OPB885Z

Част запас: 10869

Сензорно разстояние: 0.374" (9.5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB821S3Z

Част запас: 16968

Сензорно разстояние: 0.080" (2.03mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

OPB360N51

Част запас: 36872

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

EE-SH3-B

Част запас: 15230

Сензорно разстояние: 0.134" (3.4mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

EE-SX1340

Част запас: 64711

Сензорно разстояние: 0.157" (4mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 30mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V,

За желание

EE-SH3-C

Част запас: 10574

Сензорно разстояние: 0.134" (3.4mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

EE-SX1320

Част запас: 126846

Сензорно разстояние: 0.079" (2mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 5mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA,

За желание

EE-SX1035

Част запас: 18256

Сензорно разстояние: 0.205" (5.2mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

EE-SX1321

Част запас: 82172

Сензорно разстояние: 0.079" (2mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 25mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA,

За желание

EE-SX972-C1

Част запас: 2399

Сензорно разстояние: 0.020" (0.5mm), Метод на засичане: Transmissive, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание

EE-SX771R 5M

Част запас: 975

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: PNP - Open Collector/Dark-ON,

За желание

EE-SX974P-C1

Част запас: 2321

Сензорно разстояние: 0.020" (0.5mm), Метод на засичане: Transmissive, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание