Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

2A01G-T
Diodes Incorporated

2A01G-T

Част запас: 5079

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
2A03-T
Diodes Incorporated

2A03-T

Част запас: 426

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
2A06G-T
Diodes Incorporated

2A06G-T

Част запас: 291

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
20TQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045S

Част запас: 421

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
20L15TS
Vishay Semiconductor Diodes Division

20L15TS

Част запас: 156

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 15V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 410mV @ 19A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
249NQ135
Vishay Semiconductor Diodes Division

249NQ135

Част запас: 199

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 135V, Ток - средно коригиран (Io): 240A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.07V @ 240A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
20BQ030TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20BQ030TR

Част запас: 158

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 470mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
20BQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

20BQ030

Част запас: 192

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 470mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
20TQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045STRR

Част запас: 135

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
20TQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ045STRL

Част запас: 100

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
20TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ035STRR

Част запас: 176

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
20TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20TQ035STRL

Част запас: 155

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
20ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12STRL

Част запас: 178

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 20A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
20ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12STRR

Част запас: 130

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 20A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
20ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08STRR

Част запас: 160

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 20A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
20ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10STRL

Част запас: 94

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.31V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 400ns,

За желание
20ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10STRR

Част запас: 112

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.31V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 400ns,

За желание
20ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10FP

Част запас: 113

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.31V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 400ns,

За желание
20ETF08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08STRR

Част запас: 151

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.31V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 400ns,

За желание
20ETF08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08STRL

Част запас: 117

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.31V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 400ns,

За желание
20ETF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06STRR

Част запас: 5074

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 160ns,

За желание
20ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06STRL

Част запас: 116

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 160ns,

За желание
20ETF02STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02STRR

Част запас: 102

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 160ns,

За желание
20ETF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04STRL

Част запас: 5088

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 160ns,

За желание
20ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02STRL

Част запас: 146

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 160ns,

За желание
200HFR80PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR80PV

Част запас: 90

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.45V @ 628A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
200HFR120PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR120PV

Част запас: 155

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.45V @ 628A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
200HFR40PV
Vishay Semiconductor Diodes Division

200HFR40PV

Част запас: 107

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.45V @ 628A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
20L15T
Vishay Semiconductor Diodes Division

20L15T

Част запас: 132

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 15V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 410mV @ 19A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
243NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ100R

Част запас: 161

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 240A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 860mV @ 240A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
243NQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ100

Част запас: 107

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 240A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 860mV @ 240A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
243NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

243NQ080

Част запас: 144

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io): 240A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 860mV @ 240A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
242NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

242NQ030R

Част запас: 152

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 240A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 510mV @ 240A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
242NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

242NQ030

Част запас: 159

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 240A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 510mV @ 240A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
241NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

241NQ045

Част запас: 97

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 240A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 690mV @ 240A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
241NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

241NQ045R

Част запас: 128

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 240A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 690mV @ 240A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание