Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

2A01-TP
Micro Commercial Co

2A01-TP

Част запас: 9446

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 40V, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
301UR80
Vishay Semiconductor Diodes Division

301UR80

Част запас: 1468

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 330A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.22V @ 942A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
31GF6-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/73

Част запас: 107592

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

За желание
31GF4-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/54

Част запас: 111138

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

За желание
31GF4-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/73

Част запас: 170598

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

За желание
31GF6-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/73

Част запас: 162083

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

За желание
31GF4-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/73

Част запас: 119879

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

За желание
31GF6-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/54

Част запас: 151354

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

За желание
31GF4-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/54

Част запас: 146657

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

За желание
30BQ015TR
SMC Diode Solutions

30BQ015TR

Част запас: 104520

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 15V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 350mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
30WQ20FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ20FNTR

Част запас: 180665

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 890mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
30WQ03FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ03FNTR

Част запас: 186601

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
30BQ150TR
SMC Diode Solutions

30BQ150TR

Част запас: 132078

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 860mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
30BQ200TR
SMC Diode Solutions

30BQ200TR

Част запас: 126042

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
30WQ15FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ15FNTR

Част запас: 184192

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 830mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
30WQ04FNTR
SMC Diode Solutions

30WQ04FNTR

Част запас: 198114

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 530mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
3A60 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 B0G

Част запас: 132

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
3A60HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HA0G

Част запас: 122

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
31DF4 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 B0G

Част запас: 176

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

За желание
31DF4 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 A0G

Част запас: 130

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

За желание
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 A0G

Част запас: 149

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
31DF6 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 A0G

Част запас: 162

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

За желание
31DF6 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 B0G

Част запас: 172

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

За желание
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 A0G

Част запас: 94

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 B0G

Част запас: 100

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
3A100HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HA0G

Част запас: 156

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
3A100HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HB0G

Част запас: 186

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
3A60HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HB0G

Част запас: 147

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
3A100HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100HR0G

Част запас: 206

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
31DF6 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF6 R0G

Част запас: 158

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

За желание
3A60 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60 R0G

Част запас: 173

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
3A60HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A60HR0G

Част запас: 139

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
3A100 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

3A100 R0G

Част запас: 198

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
31DF4 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

31DF4 R0G

Част запас: 195

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

За желание
3SM8
Semtech Corporation

3SM8

Част запас: 3384

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
3SM0
Semtech Corporation

3SM0

Част запас: 3037

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание