Транзистори - IGBT - Модули | Дискретни полупроводникови продукти | 65

APTGF165SK60D1G

Част запас: 463

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 230A, Мощност - Макс: 730W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

Част запас: 496

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 220A, Мощност - Макс: 833W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

Част запас: 456

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 230A, Мощност - Макс: 781W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

Част запас: 448

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 230A, Мощност - Макс: 730W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

Част запас: 440

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Мощност - Макс: 140W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

Част запас: 442

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Мощност - Макс: 140W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

Част запас: 487

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Мощност - Макс: 140W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

Част запас: 414

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 961W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

Част запас: 410

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 961W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

Част запас: 435

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 961W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

Част запас: 453

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 135A, Мощност - Макс: 568W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

Част запас: 3069

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200A, Мощност - Макс: 961W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

Част запас: 453

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 135A, Мощност - Макс: 568W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

Част запас: 411

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 130A, Мощност - Макс: 735W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

Част запас: 435

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 135A, Мощност - Макс: 568W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

За желание

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

Част запас: 455

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 93A, Мощност - Макс: 378W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

За желание

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

Част запас: 418

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 93A, Мощност - Макс: 378W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

За желание

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

Част запас: 3465

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 347W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

За желание

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

Част запас: 3433

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 347W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

За желание

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

Част запас: 448

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 277W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

За желание

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

Част запас: 465

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 58A, Мощност - Макс: 192W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

За желание

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

Част запас: 416

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 58A, Мощност - Макс: 192W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

За желание

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

Част запас: 481

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 120A, Мощност - Макс: 416W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

За желание

Microsemi Corporation

APT75GN120J

Част запас: 420

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 124A, Мощност - Макс: 379W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

За желание

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

Част запас: 401

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 124A, Мощност - Макс: 379W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

За желание

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

Част запас: 445

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 93A, Мощност - Макс: 378W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

За желание

Microsemi Corporation

APT50GP60J

Част запас: 2419

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 329W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

За желание

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

Част запас: 393

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 72A, Мощност - Макс: 379W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

За желание

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

Част запас: 2536

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 86A, Мощност - Макс: 284W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

За желание

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

Част запас: 469

IGBT тип: NPT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 77A, Мощност - Макс: 347W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

За желание

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

Част запас: 406

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 283A, Мощност - Макс: 682W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

За желание

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

Част запас: 1653

IGBT тип: PT, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 128A, Мощност - Макс: 543W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

За желание

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

Част запас: 1360

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Boost Chopper, Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 65A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

За желание

STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

Част запас: 373

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 454.5W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

За желание

STMicroelectronics

A2P75S12M3

Част запас: 372

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 454.5W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

За желание

STMicroelectronics

A2C50S65M2

Част запас: 320

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 208W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

За желание