Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - Модули

APTGV50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

Част запас: 530

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание
APTGV75H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

Част запас: 491

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

За желание
APTGV50H60BG
Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

Част запас: 539

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Boost Chopper, Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание
APTGV50H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

Част запас: 546

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 270W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

За желание
APTGV30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

Част запас: 476

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Мощност - Макс: 90W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

За желание
APTGV50H120BTPG
Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

Част запас: 466

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Boost Chopper, Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 270W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

За желание
APTGV25H120BG
Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

Част запас: 528

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Boost Chopper, Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40A, Мощност - Макс: 156W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

За желание
APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

Част запас: 540

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40A, Мощност - Макс: 156W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

За желание
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

Част запас: 546

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

За желание
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

Част запас: 487

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Full Bridge Inverter, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Мощност - Макс: 115W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

За желание
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

Част запас: 546

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

За желание
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

Част запас: 5307

IGBT тип: NPT, Trench Field Stop, Конфигурация: Boost Chopper, Full Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Мощност - Макс: 340W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

За желание
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

Част запас: 531

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 357W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

Част запас: 541

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 357W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

Част запас: 521

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

Част запас: 490

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Buck Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Мощност - Макс: 250W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

Част запас: 478

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 357W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

Част запас: 540

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 130A, Мощност - Макс: 465W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

Част запас: 464

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 120A, Мощност - Макс: 520W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

Част запас: 555

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 357W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

Част запас: 545

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 120A, Мощност - Макс: 520W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

Част запас: 548

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 357W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

Част запас: 526

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 110A, Мощност - Макс: 357W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

За желание
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

Част запас: 526

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 760A, Мощност - Макс: 1600W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

За желание
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

Част запас: 482

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Three Phase, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 310W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

Част запас: 514

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 310W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

Част запас: 476

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual, Common Source, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

Част запас: 541

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Buck Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

Част запас: 552

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Dual Buck Chopper, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 270W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

Част запас: 528

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Asymmetrical Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

Част запас: 3071

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 312W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

Част запас: 518

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 310W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

Част запас: 496

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Single, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 270W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

Част запас: 535

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1700V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Мощност - Макс: 310W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

Част запас: 520

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80A, Мощност - Макс: 176W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

За желание
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

Част запас: 494

IGBT тип: Trench Field Stop, Конфигурация: Half Bridge, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Мощност - Макс: 270W, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

За желание