Транзистори - биполярни (BJT) - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 100

2SCR375P5T100R

Част запас: 131612

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SD1383KT146B

Част запас: 149824

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400µA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SC5658T2LR

Част запас: 141770

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SAR533PFRAT100

Част запас: 58

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 3V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SA1576U3T106Q

Част запас: 103

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SC4725TLP

Част запас: 134728

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SCR346PT100P

Част запас: 184111

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SC5585TL

Част запас: 148835

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SCR293PFRAT100

Част запас: 91

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SD2114KT146V

Част запас: 160091

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SCR514PFRAT100

Част запас: 94

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SAR523UBTL

Част запас: 168051

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SC4081U3T106Q

Част запас: 124

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SD2707T2LV

Част запас: 111999

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 300nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SA1576U3T106R

Част запас: 50

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SD2351T106W

Част запас: 170644

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 300nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SA1514KT146R

Част запас: 182444

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SC5824T100R

Част запас: 125000

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SCR542PT100

Част запас: 181991

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SAR553P5T100

Част запас: 111299

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SC4102T106S

Част запас: 142960

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SAR293P5T100

Част запас: 121004

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SB1731TL

Част запас: 178205

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 370mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SD2226KT146W

Част запас: 170942

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 300nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SA1579T106S

Част запас: 174437

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SD2702TL

Част запас: 197914

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SAR514PFRAT100

Част запас: 89

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SC4081U3T106S

Част запас: 50

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SD2656FRAT106

Част запас: 80

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SC4081U3T106R

Част запас: 117

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SA2018TL

Част запас: 128169

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

За желание

Rohm Semiconductor

2SCR514P5T100

Част запас: 182767

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

За желание

ON Semiconductor

2SC4027S-TL-E

Част запас: 130800

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

За желание

ON Semiconductor

2SC3649S-TD-E

Част запас: 144860

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

За желание

ON Semiconductor

2SD1815S-TL-E

Част запас: 193808

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V,

За желание

ON Semiconductor

2SA2125-TD-E

Част запас: 140184

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

За желание