Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

2SB1198KT146R
Rohm Semiconductor

2SB1198KT146R

Част запас: 128521

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

За желание
2SAR502UBTL
Rohm Semiconductor

2SAR502UBTL

Част запас: 138024

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 200nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

За желание
2SC3838KT146N
Rohm Semiconductor

2SC3838KT146N

Част запас: 113981

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 11V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

За желание
2SA1036KT146Q
Rohm Semiconductor

2SA1036KT146Q

Част запас: 110195

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

За желание
2SB1697T100
Rohm Semiconductor

2SB1697T100

Част запас: 111694

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

За желание
2SD2703TL
Rohm Semiconductor

2SD2703TL

Част запас: 145572

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

За желание
2SA1774TLR
Rohm Semiconductor

2SA1774TLR

Част запас: 187077

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

За желание
2SCR554P5T100
Rohm Semiconductor

2SCR554P5T100

Част запас: 108784

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

За желание
2SAR513PFRAT100
Rohm Semiconductor

2SAR513PFRAT100

Част запас: 89

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

За желание
2SD2696T2L
Rohm Semiconductor

2SD2696T2L

Част запас: 116661

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

За желание
2SB1590KT146Q
Rohm Semiconductor

2SB1590KT146Q

Част запас: 118187

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 400mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

За желание
2SAR340PT100Q
Rohm Semiconductor

2SAR340PT100Q

Част запас: 123940

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V,

За желание
2SD2700TL
Rohm Semiconductor

2SD2700TL

Част запас: 127162

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

За желание
2SCR522UBTL
Rohm Semiconductor

2SCR522UBTL

Част запас: 197269

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V,

За желание
2SB1197KT146Q
Rohm Semiconductor

2SB1197KT146Q

Част запас: 134734

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

За желание
2SC4083T106P
Rohm Semiconductor

2SC4083T106P

Част запас: 123310

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 11V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V,

За желание
2SCR553P5T100
Rohm Semiconductor

2SCR553P5T100

Част запас: 177412

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

За желание
2SCR552PFRAT100
Rohm Semiconductor

2SCR552PFRAT100

Част запас: 74

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

За желание
2SB1427T100E
Rohm Semiconductor

2SB1427T100E

Част запас: 140339

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 390 @ 500mA, 6V,

За желание
2SAR552P5T100
Rohm Semiconductor

2SAR552P5T100

Част запас: 149876

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

За желание
2SD2153T100W
Rohm Semiconductor

2SD2153T100W

Част запас: 125479

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V,

За желание
2SD1949T106Q
Rohm Semiconductor

2SD1949T106Q

Част запас: 137420

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V,

За желание
2SC3838KT146P
Rohm Semiconductor

2SC3838KT146P

Част запас: 189365

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 11V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

За желание
2SD1781KT146R
Rohm Semiconductor

2SD1781KT146R

Част запас: 111231

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

За желание
2SAR293PFRAT100
Rohm Semiconductor

2SAR293PFRAT100

Част запас: 95

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

За желание
2SD2153T100U
Rohm Semiconductor

2SD2153T100U

Част запас: 115006

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 500mA, 6V,

За желание
2SA1576AT106S
Rohm Semiconductor

2SA1576AT106S

Част запас: 169231

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание
2SA1577T106Q
Rohm Semiconductor

2SA1577T106Q

Част запас: 164818

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 32V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

За желание
2SCR554PFRAT100
Rohm Semiconductor

2SCR554PFRAT100

Част запас: 57

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

За желание
2SA2088T106Q
Rohm Semiconductor

2SA2088T106Q

Част запас: 105986

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V,

За желание
2SC4061KT146N
Rohm Semiconductor

2SC4061KT146N

Част запас: 199135

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

За желание
2SD2661T100
Rohm Semiconductor

2SD2661T100

Част запас: 159541

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

За желание
2SA1576U3T106S
Rohm Semiconductor

2SA1576U3T106S

Част запас: 121

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

За желание
2SC4082T106P
Rohm Semiconductor

2SC4082T106P

Част запас: 153926

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V,

За желание
2SC5661T2LP
Rohm Semiconductor

2SC5661T2LP

Част запас: 160218

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V,

За желание
2SA2029T2LR
Rohm Semiconductor

2SA2029T2LR

Част запас: 131699

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

За желание