Тип: MOSFET, Конфигурация: 1 Phase, Текущ: 40A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: SOT-227-4, miniBLOC,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 30A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: IGBT, Конфигурация: 1 Phase, Текущ: 200A, Волтаж: 1.25kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: SOT-227-4, miniBLOC,
Тип: MOSFET, Конфигурация: Full Bridge, Текущ: 40A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: MOSFET, Текущ: 95A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 100A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 100A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: MOSFET, Конфигурация: Half Bridge, Текущ: 300A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 150A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: MOSFET, Конфигурация: Half Bridge, Текущ: 480A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: MOSFET, Конфигурация: Half Bridge, Текущ: 240A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 80A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: IGBT, Конфигурация: Half Bridge, Текущ: 200A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: MOSFET, Конфигурация: Half Bridge, Текущ: 360A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: MOSFET, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 40A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: IGBT, Конфигурация: Half Bridge, Текущ: 400A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 200A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: MOSFET, Текущ: 42A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: MOSFET, Конфигурация: 1 Phase, Текущ: 120A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: SOT-227-4, miniBLOC,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 60A, Волтаж: 600V, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Тип: MOSFET, Конфигурация: 1 Phase, Текущ: 60A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: SOT-227-4, miniBLOC,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 50A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
Текущ: 150A, Волтаж: 1.7kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: SOT-227-4, miniBLOC,
Тип: IGBT, Конфигурация: 1 Phase, Текущ: 160A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: SOT-227-4, miniBLOC,
Тип: IGBT, Конфигурация: 1 Phase, Текущ: 120A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: SOT-227-4, miniBLOC,
Тип: MOSFET, Конфигурация: 1 Phase, Текущ: 200A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: SOT-227-4, miniBLOC,
Тип: IGBT, Конфигурация: 3 Phase, Текущ: 195A, Волтаж: 1.2kV, Напрежение - Изолация: 2500Vrms, Опаковка / калъф: Power Module,
