Тип диод: Single Phase, Технология: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - връщане обратно (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Ток - обратен теч @ Vr: 100µA @ 600V,
Тип диод: Single Phase, Технология: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - връщане обратно (макс.): 1.2kV, Ток - средно коригиран (Io): 45A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 45A, Ток - обратен теч @ Vr: 300µA @ 1200V,
Тип диод: Single Phase, Технология: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - връщане обратно (макс.): 1.2kV, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 15A, Ток - обратен теч @ Vr: 100µA @ 1200V,
Тип диод: Single Phase, Технология: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - връщане обратно (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 20A, Ток - обратен теч @ Vr: 200µA @ 600V,
Тип диод: Single Phase, Технология: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - връщане обратно (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 30A, Ток - обратен теч @ Vr: 100µA @ 600V,
Тип диод: Single Phase, Технология: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - връщане обратно (макс.): 1.2kV, Ток - средно коригиран (Io): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 30A, Ток - обратен теч @ Vr: 200µA @ 1200V,
