Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - FET, MOSFET - единични
BUZ73AL
Infineon Technologies

BUZ73AL

Част запас: 95

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

Списък с желания
BUZ73AE3046XK
Infineon Technologies

BUZ73AE3046XK

Част запас: 152

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Списък с желания
BUZ73A
Infineon Technologies

BUZ73A

Част запас: 97

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Списък с желания
BUZ32H3045AATMA1
Infineon Technologies

BUZ32H3045AATMA1

Част запас: 142

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания
BUZ73E3046XK
Infineon Technologies

BUZ73E3046XK

Част запас: 174

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Списък с желания
BUZ32 E3045A
Infineon Technologies

BUZ32 E3045A

Част запас: 168

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания
BUZ32
Infineon Technologies

BUZ32

Част запас: 94

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания
BUZ31L E3044A
Infineon Technologies

BUZ31L E3044A

Част запас: 164

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Списък с желания
BUZ31L
Infineon Technologies

BUZ31L

Част запас: 176

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Списък с желания
BUZ31 E3046
Infineon Technologies

BUZ31 E3046

Част запас: 128

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Списък с желания
BUZ31 E3045A
Infineon Technologies

BUZ31 E3045A

Част запас: 125

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Списък с желания
BUZ31
Infineon Technologies

BUZ31

Част запас: 160

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Списък с желания
BUZ30A E3045A
Infineon Technologies

BUZ30A E3045A

Част запас: 182

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.5A, 10V,

Списък с желания
BTS282ZAKSA1
Infineon Technologies

BTS282ZAKSA1

Част запас: 135

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 49V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Списък с желания
BTS282Z E3230
Infineon Technologies

BTS282Z E3230

Част запас: 97

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 49V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Списък с желания
BTS247ZE3043AKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZE3043AKSA1

Част запас: 153

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

Списък с желания
BTS247ZAKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZAKSA1

Част запас: 141

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

Списък с желания
BTS244Z E3043
Infineon Technologies

BTS244Z E3043

Част запас: 84

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Списък с желания
BTS244Z E3062A
Infineon Technologies

BTS244Z E3062A

Част запас: 149

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Списък с желания
BTS113AE3064NKSA1
Infineon Technologies

BTS113AE3064NKSA1

Част запас: 94

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Списък с желания
BTS244ZNKSA1
Infineon Technologies

BTS244ZNKSA1

Част запас: 175

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Списък с желания
BTS113ANKSA1
Infineon Technologies

BTS113ANKSA1

Част запас: 176

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Списък с желания
BTS113AE3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS113AE3045ANTMA1

Част запас: 161

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Списък с желания
BTS110NKSA1
Infineon Technologies

BTS110NKSA1

Част запас: 140

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

Списък с желания
BTS110E3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS110E3045ANTMA1

Част запас: 180

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

Списък с желания
BSS87 E6433
Infineon Technologies

BSS87 E6433

Част запас: 144

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 240V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 260mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

Списък с желания
BSS84P E6433
Infineon Technologies

BSS84P E6433

Част запас: 174

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Списък с желания
BSS225L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS225L6327HTSA1

Част запас: 6048

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

Списък с желания
BSS225
Infineon Technologies

BSS225

Част запас: 103

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

Списък с желания
BSS169 E6906
Infineon Technologies

BSS169 E6906

Част запас: 94

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Списък с желания
BSS169 E6327
Infineon Technologies

BSS169 E6327

Част запас: 6104

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Списък с желания
BSS159N E6906
Infineon Technologies

BSS159N E6906

Част запас: 129

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 230mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Списък с желания
BSS159N E6327
Infineon Technologies

BSS159N E6327

Част запас: 170

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 230mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Списък с желания
BSS139 E6906
Infineon Technologies

BSS139 E6906

Част запас: 116

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Списък с желания
BSS139 E6327
Infineon Technologies

BSS139 E6327

Част запас: 166

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Списък с желания
BSS138W E6433
Infineon Technologies

BSS138W E6433

Част запас: 159

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 280mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Списък с желания