Транзистори - FET, MOSFET - масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 11

2N7002DW L6327

Част запас: 2853

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 300mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

2N7002DWH6327XTSA1

Част запас: 174403

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 300mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

94-3449

Част запас: 2628

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7103Q

Част запас: 3052

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7309QTR

Част запас: 108112

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7343QTR

Част запас: 94872

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7303QTR

Част запас: 101171

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF9952Q

Част запас: 2919

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7379Q

Част запас: 2916

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7342Q

Част запас: 3348

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7341Q

Част запас: 2859

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7319Q

Част запас: 2903

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7313Q

Част запас: 2913

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7316Q

Част запас: 5424

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7304Q

Част запас: 2891

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7309Q

Част запас: 2875

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7303Q

Част запас: 2880

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7343Q

Част запас: 2791

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRFN8459TR

Част запас: 64112

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRFN8458TR

Част запас: 79588

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7341QTR

Част запас: 89718

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7319QTR

Част запас: 89679

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7316QTR

Част запас: 89739

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7342QTR

Част запас: 91383

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7313QTR

Част запас: 94924

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7304QTR

Част запас: 101244

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7379QTR

Част запас: 101249

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF7103QTR

Част запас: 121994

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

AUIRF9952QTR

Част запас: 125213

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

BSL308CH6327XTSA1

Част запас: 146163

FET тип: N and P-Channel Complementary, Функция FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.3A, 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

BSC0911NDATMA1

Част запас: 94888

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

BSO615NGHUMA1

Част запас: 20316

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

BSO330N02KGFUMA1

Част запас: 3005

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

BTS7904SAKSA1

Част запас: 2985

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

BSO4804HUMA2

Част запас: 2904

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA,

Списък с желания

Infineon Technologies

BSL806NL6327HTSA1

Част запас: 2870

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA,

Списък с желания