Транзистори - FET, MOSFET - единични

У дома
Транзистори - FET, MOSFET - единични

Infineon Technologies

IRF6794MTR1PBF

Част запас: 6190

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32A (Ta), 200A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 32A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRLL2703TRPBF

Част запас: 169762

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.9A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 10V,

Списък с желания

IPD035N06L3GATMA1

Infineon Technologies

IPD035N06L3GATMA1

Част запас: 1526

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 90A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IPA50R800CE

Част запас: 1552

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.5A, 13V,

Списък с желания

IPD50R650CEBTMA1

Infineon Technologies

IPD50R650CEBTMA1

Част запас: 1540

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.1A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 1.8A, 13V,

Списък с желания

IPD30N06S4L23ATMA2

Infineon Technologies

IPD30N06S4L23ATMA2

Част запас: 187445

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7420PBF

Част запас: 1567

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11.5A, 4.5V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFI530NPBF

Част запас: 54724

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 6.6A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IPD04N03LB G

Част запас: 1578

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания

IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

IPD95R1K2P7ATMA1

Част запас: 10814

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 950V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.7A, 10V,

Списък с желания

SPD02N80C3ATMA1

Infineon Technologies

SPD02N80C3ATMA1

Част запас: 162480

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.2A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFH7004TR2PBF

Част запас: 1411

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF200B211

Част запас: 66011

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7.2A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFIZ46NPBF

Част запас: 1524

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 19A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRL3714ZSPBF

Част запас: 1580

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 36A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

SPD50N03S2L06GBTMA1

Infineon Technologies

SPD50N03S2L06GBTMA1

Част запас: 77798

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания

IPP50R500CEXKSA1

Infineon Technologies

IPP50R500CEXKSA1

Част запас: 1521

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.3A, 13V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7946TR1PBF

Част запас: 1451

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 90A, 10V,

Списък с желания

IRFP4332-203PBF

Infineon Technologies

IRFP4332-203PBF

Част запас: 1569

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 57A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 35A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF7421D1TRPBF

Част запас: 1575

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.1A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFHM831TRPBF

Част запас: 1500

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 12A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFH7446TR2PBF

Част запас: 6196

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 85A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания

IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

IPD60R400CEAUMA1

Част запас: 156966

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14.7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.8A, 10V,

Списък с желания

IPD50N06S4L12ATMA2

Infineon Technologies

IPD50N06S4L12ATMA2

Част запас: 132411

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IPD60R600P6

Част запас: 1653

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

Списък с желания

IPD30N03S4L14ATMA1

Infineon Technologies

IPD30N03S4L14ATMA1

Част запас: 175224

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания

IPD100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

IPD100N04S402ATMA1

Част запас: 98036

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFS7437PBF

Част запас: 1472

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 195A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания

IPI028N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

IPI028N08N3GHKSA1

Част запас: 1596

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFB4410ZPBF

Част запас: 41854

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 97A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRFP250NPBF

Част запас: 30231

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 18A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

SPD50N03S2L06T

Част запас: 1572

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания

IRFU3607TRL701P

Infineon Technologies

IRFU3607TRL701P

Част запас: 1480

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 56A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Списък с желания

IPD50R280CEBTMA1

Infineon Technologies

IPD50R280CEBTMA1

Част запас: 1488

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.2A, 13V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IPD30N06S2L-13

Част запас: 1536

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания

Infineon Technologies

IRF3710ZGPBF

Част запас: 1461

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 59A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V,

Списък с желания

3600

«
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
»