Част запас: 35883
FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Ta), 130A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 109A, 10V,