Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични, предвари

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични, предвари
BCR 162F E6327
Infineon Technologies

BCR 162F E6327

Част запас: 1848

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR158WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR158WE6327HTSA1

Част запас: 1840

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 162 B6327
Infineon Technologies

BCR 162 B6327

Част запас: 1887

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 158T E6327
Infineon Technologies

BCR 158T E6327

Част запас: 1908

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 158L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 158L3 E6327

Част запас: 1838

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 158 B6327
Infineon Technologies

BCR 158 B6327

Част запас: 1880

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 158F E6327
Infineon Technologies

BCR 158F E6327

Част запас: 1870

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 153T E6327
Infineon Technologies

BCR 153T E6327

Част запас: 1846

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Списък с желания
BCR 153L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 153L3 E6327

Част запас: 1899

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Списък с желания
BCR 153F E6327
Infineon Technologies

BCR 153F E6327

Част запас: 1847

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Списък с желания
BCR 151L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 151L3 E6327

Част запас: 1890

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 100 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 151T E6327
Infineon Technologies

BCR 151T E6327

Част запас: 1855

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 100 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 151F E6327
Infineon Technologies

BCR 151F E6327

Част запас: 1827

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 100 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 149T E6327
Infineon Technologies

BCR 149T E6327

Част запас: 1902

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 149L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 149L3 E6327

Част запас: 1877

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 149F E6327
Infineon Technologies

BCR 149F E6327

Част запас: 3262

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 148T E6327
Infineon Technologies

BCR 148T E6327

Част запас: 1882

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR148WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR148WE6327BTSA1

Част запас: 1902

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 148F E6327
Infineon Technologies

BCR 148F E6327

Част запас: 3260

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 148L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 148L3 E6327

Част запас: 1913

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 148F B6327
Infineon Technologies

BCR 148F B6327

Част запас: 1865

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 148 B6327
Infineon Technologies

BCR 148 B6327

Част запас: 1911

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 146T E6327
Infineon Technologies

BCR 146T E6327

Част запас: 1826

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 146L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 146L3 E6327

Част запас: 3245

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 146F E6327
Infineon Technologies

BCR 146F E6327

Част запас: 1912

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR142WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR142WE6327HTSA1

Част запас: 1824

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 142L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 142L3 E6327

Част запас: 1858

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 142T E6327
Infineon Technologies

BCR 142T E6327

Част запас: 1827

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR142B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR142B6327HTLA1

Част запас: 1896

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 142F E6327
Infineon Technologies

BCR 142F E6327

Част запас: 1836

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 141T E6327
Infineon Technologies

BCR 141T E6327

Част запас: 1866

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 141F E6327
Infineon Technologies

BCR 141F E6327

Част запас: 1842

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 141L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 141L3 E6327

Част запас: 1865

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 139T E6327
Infineon Technologies

BCR 139T E6327

Част запас: 1828

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 139L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 139L3 E6327

Част запас: 1852

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
BCR 139F E6327
Infineon Technologies

BCR 139F E6327

Част запас: 1851

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Списък с желания