Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,