Транзистори - FET, MOSFET - масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 1

GWS9294

Част запас: 2995

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Списък с желания

Renesas Electronics America Inc.

GWS4621L

Част запас: 3027

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Списък с желания

Renesas Electronics America Inc.

KGF6N05D-400

Част запас: 2987

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 5.5V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA,

Списък с желания

Renesas Electronics America Inc.

KGF16N05D-400

Част запас: 3372

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 5.5V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA,

Списък с желания

Renesas Electronics America Inc.

GWS9293

Част запас: 3370

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Списък с желания