Транзистори - FET, MOSFET - единични

IXFR40N90P

Част запас: 3667

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 20A, 10V,

IXTP270N04T4

Част запас: 27993

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 270A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 50A, 10V,

MMIX1F160N30T

Част запас: 2107

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 300V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 102A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 60A, 10V,

IXFT100N30X3HV

Част запас: 180

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 300V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 50A, 10V,

IXFB100N50Q3

Част запас: 2426

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 50A, 10V,

IXFH20N100P

Част запас: 7755

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

IXTA380N036T4-7

Част запас: 233

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 36V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 380A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 100A, 10V,

MMIX1F44N100Q3

Част запас: 1914

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245 mOhm @ 22A, 10V,

IXTY02N50D TRL

Част запас: 239

IXFK36N60P

Част запас: 8004

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 36A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 18A, 10V,

IXTF1R4N450

Част запас: 1118

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 4500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 Ohm @ 50mA, 10V,

IXTQ22N60P

Част запас: 14530

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 11A, 10V,

IXTT1N450HV

Част запас: 1834

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 4500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 Ohm @ 50mA, 10V,

IXFP130N10T2

Част запас: 25039

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 130A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 65A, 10V,

IXTY2N65X2

Част запас: 51753

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 1A, 10V,

IXTP24N65X2

Част запас: 247

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

IXTH44P15T

Част запас: 13033

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 500mA, 10V,

IXTP230N075T2

Част запас: 16657

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 230A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

IXTK120N25P

Част запас: 5506

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 60A, 10V,

IXTP32N20T

Част запас: 34004

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 16A, 10V,

IXKN45N80C

Част запас: 2033

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 44A, 10V,

IXKN40N60C

Част запас: 2883

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

IXKC40N60C

Част запас: 6380

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 28A, 10V,

IXFB40N110Q3

Част запас: 1966

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 20A, 10V,

IXKC20N60C

Част запас: 11085

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 16A, 10V,

VMO650-01F

Част запас: 465

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 690A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 500mA, 10V,

IXKC19N60C5

Част запас: 10826

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 19A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 16A, 10V,

IXFT30N50Q3

Част запас: 5515

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15A, 10V,

IXFT94N30P3

Част запас: 6154

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 300V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 94A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 47A, 10V,

IXKT70N60C5

Част запас: 3629

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 68A (Tc),

IXFA14N85XHV

Част запас: 13377

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 850V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 10V,

IXKR40N60C

Част запас: 4521

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 38A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V,

IXFH26N50Q

Част запас: 6464

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 26A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 13A, 10V,

IXFK64N60Q3

Част запас: 2494

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 64A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 32A, 10V,

IXFK100N65X2

Част запас: 5050

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 50A, 10V,

IXFH220N20X3

Част запас: 324

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 220A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 110A, 10V,