Транзистори - FET, MOSFET - единични

У дома
Транзистори - FET, MOSFET - единични

IXFN100N20

Част запас: 3225

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFX60N55Q2

Част запас: 3075

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 550V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания

IXFX52N60Q2

Част запас: 3262

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 52A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFN44N50Q

Част запас: 3237

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFK52N60Q2

Част запас: 3233

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 52A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFR90N20Q

Част запас: 3149

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V,

Списък с желания

IXFE73N30Q

Част запас: 3270

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 300V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 66A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 36.5A, 10V,

Списък с желания

IXTE250N10

Част запас: 3194

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 250A,

Списък с желания

MKE38RK600DFELB

MKE38RK600DFELB

Част запас: 3215

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

Списък с желания

IXFK60N55Q2

Част запас: 3060

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 550V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания

IXFG55N50

Част запас: 3276

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 48A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 27.5A, 10V,

Списък с желания

IXTV02N250S

Част запас: 918

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 2500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 Ohm @ 50mA, 10V,

Списък с желания

IXFK44N55Q

Част запас: 3383

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 550V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

Списък с желания

IXFR24N100

Част запас: 3677

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 12A, 10V,

Списък с желания

IXFE48N50Q

Част запас: 3888

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 41A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 24A, 10V,

Списък с желания

IXFK24N90Q

Част запас: 3675

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFR27N80Q

Част запас: 3768

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 27A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 13.5A, 10V,

Списък с желания

FDM47-06KC5

Част запас: 3556

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 47A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

Списък с желания

IXFR50N50

Част запас: 3534

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания

IXFK25N90

Част запас: 3518

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFL55N50

Част запас: 3234

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 55A (Tc),

Списък с желания

IXFV18N90PS

Част запас: 852

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXTC62N15P

Част запас: 6094

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 36A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 31A, 10V,

Списък с желания

IXFK100N10

Част запас: 3655

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

Списък с желания

IXTH60N10

Част запас: 3309

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания

IXTF1N400

Част запас: 975

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 4000V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXTY01N100D

Част запас: 26852

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 Ohm @ 50mA, 0V,

Списък с желания

IXFE44N50Q

Част запас: 3764

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 39A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

Списък с желания

MKE38RK600DFELB-TRR

MKE38RK600DFELB-TRR

Част запас: 3472

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

Списък с желания

IXFR34N80

Част запас: 3603

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 17A, 10V,

Списък с желания

IXFX44N55Q

Част запас: 3548

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 550V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 44A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

Списък с желания

IXFX21N100Q

Част запас: 3732

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 10.5A, 10V,

Списък с желания

IXFX74N50P2

Част запас: 906

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 74A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFR25N90

Част запас: 3592

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A (Tc),

Списък с желания

IXFV12N90P

Част запас: 900

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 6A, 10V,

Списък с желания

IXFK50N50

Част запас: 3520

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания

2148

«
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
»