Транзистори - FET, MOSFET - единични

У дома
Транзистори - FET, MOSFET - единични

IXFK15N100Q

Част запас: 5130

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXTK80N25

Част запас: 6344

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFT80N15Q

Част запас: 5964

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания

IXTH20N60

Част запас: 6300

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

IXFV74N20PS

Част запас: 9340

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 74A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 37A, 10V,

Списък с желания

IXFH70N15

Част запас: 9386

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 35A, 10V,

Списък с желания

IXFV18N60PS

Част запас: 9316

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXTH10N100D

Част запас: 6597

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 10A, 10V,

Списък с желания

IXFR13N50

Част запас: 6327

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A (Tc),

Списък с желания

IXFT14N100

Част запас: 3947

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXTK128N15

Част запас: 6280

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 128A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFH80N06

Част запас: 9391

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

Списък с желания

IXTH220N075T

Част запас: 9356

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 220A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания

IXFT20N80Q

Част запас: 4556

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

IXTA200N085T7

Част запас: 9351

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 85V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания

IXTA160N085T

Част запас: 9272

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 85V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания

IXFH60N20

Част запас: 6368

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания

IXFK80N20Q

Част запас: 6070

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXTP220N075T

Част запас: 9353

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 220A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания

IXFC52N30P

Част запас: 9265

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 300V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 26A, 10V,

Списък с желания

IXFH16N90Q

Част запас: 4348

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 8A, 10V,

Списък с желания

IXTQ220N055T

Част запас: 9342

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 220A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания

IXTQ240N055T

Част запас: 9303

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 240A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания

IXFF24N100

Част запас: 9316

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

IXFH26N60Q

Част запас: 5017

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 26A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 13A, 10V,

Списък с желания

IXFH40N30

Част запас: 6479

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 300V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFR70N15

Част запас: 6757

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 67A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 35A, 10V,

Списък с желания

IXFH80N20Q

Част запас: 4983

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 80A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFH11N80

Част запас: 6536

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXTH48N15

Част запас: 6458

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 48A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXFT13N80Q

Част запас: 6863

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 6.5A, 10V,

Списък с желания

IXTH13N80

Част запас: 6748

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

IXTH30N50L

Част запас: 6711

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

IXTH50N30

Част запас: 6487

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 300V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания

IXTH30N25

Част запас: 6561

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

VM0550-2F

Част запас: 9215

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 590A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

2148

«
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
»