Памет

DS1230Y-200IND

Част запас: 111

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 200ns,

DS1230AB-70

Част запас: 1654

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

DS1245Y-120IND+

Част запас: 1908

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 120ns,

DS2502X1+U

Част запас: 6190

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EPROM, Технология: EPROM - OTP, Размер на паметта: 1Kb (128 x 8),

DS1245WP-100+

Част запас: 2099

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 100ns,

DS1230YP-70+

Част запас: 2397

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

DS2502R+00B

Част запас: 8875

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EPROM, Технология: EPROM - OTP, Размер на паметта: 1Kb (128 x 8),

DS2502R-00C+T&R

Част запас: 8924

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EPROM, Технология: EPROM - OTP, Размер на паметта: 1Kb (128 x 8),

DS3645B

Част запас: 5536

DS2433X-300-EC#TW

Част запас: 1461

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 4Kb (256 x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 1µs,

DS1230AB-70IND+

Част запас: 2589

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

DS24B33G+U

Част запас: 987

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 4Kb (256 x 16),

DS28CN01U-W0D+1T-C

Част запас: 8899

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 1Kb (128 x 8), Честота на часовника: 400kHz, Време за писане на цикъл - дума, страница: 10ms,

DS1225AB-170+

Част запас: 3457

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 170ns,

DS1225Y-150+

Част запас: 3361

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 150ns,

DS1345ABP-70+

Част запас: 2648

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

DS1230Y-150+

Част запас: 2498

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 150ns,

DS1345WP-150+

Част запас: 2540

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 150ns,

DS1330WP-150+

Част запас: 3617

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 150ns,

DS1330WP-100+

Част запас: 3660

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 100ns,

DS2501S-UNW-111B/T&R

Част запас: 1413

DS1225Y-200+

Част запас: 3240

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 200ns,

DS1230WP-100+

Част запас: 2908

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 256Kb (32K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 100ns,

DS1225Y-150IND+

Част запас: 3736

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 150ns,

DS2502X1+UW

Част запас: 8013

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EPROM, Технология: EPROM - OTP, Размер на паметта: 1Kb (128 x 8),

DS28E10P-W22+2TW

Част запас: 8019

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EPROM, Технология: EPROM - OTP, Размер на паметта: 224b (28 x 8),

DS1225AD-150+

Част запас: 3507

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 150ns,

DS2502AX-500-00/T&R/

Част запас: 5251

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EPROM, Технология: EPROM - OTP, Размер на паметта: 1Kb (128 x 8),

DS2432X-S+TW

Част запас: 7904

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 1Kb (1K x 1),

DS28E15X+UW

Част запас: 8065

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 512b (512 x 1),

DS28E07+W

Част запас: 8084

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 1Kb (256 x 4),

DS28E01G-100+T&R

Част запас: 4591

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 1Kb (256 x 4),

DS2433AX-S+TW

Част запас: 8012

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 4Kb (256 x 16),

DS28EL15Q-742+3TW

Част запас: 8078

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: EEPROM, Технология: EEPROM, Размер на паметта: 512b (256 x 2),

DSQ09G5-004-740

Част запас: 6846

DS1225Y-200IND+

Част запас: 3594

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 64Kb (8K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 200ns,