Транзистори - биполярни (BJT) - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 34

JANS2N6250T1

Част запас: 6860

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 275V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N5662

Част запас: 6854

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 200nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N2904

Част запас: 6848

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N5153

Част запас: 6931

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N5015S

Част запас: 7006

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1000V, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N6251T1

Част запас: 6843

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 350V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N3636L

Част запас: 3646

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 175V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N3741

Част запас: 2690

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N3867

Част запас: 6917

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 1.5A, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N5015

Част запас: 7088

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1000V, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N3439L

Част запас: 6770

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 350V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N2904

Част запас: 6865

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N6211

Част запас: 6827

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 225V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 125mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N6350

Част запас: 6853

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 5A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N3585

Част запас: 6823

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 125mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N3251AUB

Част запас: 6859

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N6546

Част запас: 6602

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N5416U4

Част запас: 5694

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N3634UB

Част запас: 3632

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 140V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANS2N7372

Част запас: 6912

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N3251AUB

Част запас: 6811

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N6301

Част запас: 1233

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N5416

Част запас: 6863

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N2905

Част запас: 6855

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N5005

Част запас: 476

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N3019/TR

Част запас: 7078

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N3771

Част запас: 6805

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N5415

Част запас: 6937

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N708

Част запас: 6911

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 25nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N5004

Част запас: 536

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N6212

Част запас: 6703

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 125mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 5mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTXV2N6250

Част запас: 1072

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 275V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 3V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N5303

Част запас: 6662

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 4A, 20A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANS2N5416U4

Част запас: 6700

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JANTX2N7373

Част запас: 6854

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

Списък с желания

Microsemi Corporation

JAN2N5662

Част запас: 6846

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 200V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 200nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V,

Списък с желания