Транзистори - FET, MOSFET - масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 7

2N7335

Част запас: 2928

FET тип: 4 P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 750mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

2N7334

Част запас: 2895

FET тип: 4 N-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60DSKM24T3G

Част запас: 765

FET тип: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Функция FET: Super Junction, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM100H45STG

Част запас: 605

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V (1kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTMC120TAM33CTPAG

Част запас: 107

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 3mA (Typ),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50H14FT3G

Част запас: 1149

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 26A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTMC120AM25CT3AG

Част запас: 283

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 113A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTSM120AM08CT6AG

Част запас: 144

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 370A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTSM120TAM33CTPAG

Част запас: 177

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 112A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 3mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTSM120AM09CD3AG

Част запас: 195

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 337A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 9mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTSM120AM14CD3AG

Част запас: 248

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 337A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 9mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTSM120AM55CT1AG

Част запас: 589

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 74A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 2mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTSM120AM25CT3AG

Част запас: 290

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 148A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 4mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTMC120AM08CD3AG

Част запас: 68

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 250A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10mA (Typ),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50HM65FT3G

Част запас: 692

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50AM38STG

Част запас: 559

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM100H45SCTG

Част запас: 480

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V (1kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM100A13SCG

Част запас: 292

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V (1kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 65A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50AM24SCG

Част запас: 372

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 150A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM120H140FT1G

Част запас: 1785

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.68 Ohm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50H10FT3G

Част запас: 1187

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 37A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM100A13DG

Част запас: 505

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V (1kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 65A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60VDAM24T3G

Част запас: 1155

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Super Junction, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM100H45FT3G

Част запас: 858

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V (1kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM100A18FTG

Част запас: 728

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1000V (1kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 43A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTMC120TAM12CTPAG

Част запас: 63

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Silicon Carbide (SiC), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM20HM20FTG

Част запас: 799

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 89A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60HM70T3G

Част запас: 1635

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60AM35SCTG

Част запас: 860

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC80DDA15T3G

Част запас: 1954

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50HM75FT3G

Част запас: 880

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 46A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60AM242G

Част запас: 951

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM50AM19FG

Част запас: 440

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 163A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTM120DU15G

Част запас: 383

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60DDAM35T3G

Част запас: 1490

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Списък с желания

Microsemi Corporation

APTC60TAM24TPG

Част запас: 401

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Super Junction, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Списък с желания