Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - ценерови - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - ценерови - единични
1N4751A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751A R1G

Част запас: 206

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 30V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Списък с желания
1M130ZHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M130ZHR1G

Част запас: 200

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 130V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 700 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 98.8V,

Списък с желания
1N4762A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4762A B0G

Част запас: 165

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 82V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 62.2V,

Списък с желания
1N4741AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741AHR1G

Част запас: 179

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 11V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Списък с желания
1N4761A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761A R1G

Част запас: 138

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 75V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 175 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 56V,

Списък с желания
1N4764AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4764AHB0G

Част запас: 185

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 100V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 76V,

Списък с желания
1M160Z R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M160Z R1G

Част запас: 198

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 160V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 1100 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 121.6V,

Списък с желания
1M110Z A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M110Z A0G

Част запас: 188

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 110V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 450 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 83.6V,

Списък с желания
1N4749A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749A B0G

Част запас: 200

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 24V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Списък с желания
1M200Z A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M200Z A0G

Част запас: 215

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 200V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 1500 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 152V,

Списък с желания
1N4753A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753A R1G

Част запас: 197

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 36V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 27.4V,

Списък с желания
1N4763AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763AHB0G

Част запас: 125

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 91V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 69.2V,

Списък с желания
1N4750A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4750A A0G

Част запас: 168

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 27V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 20.6V,

Списък с желания
1M110Z B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M110Z B0G

Част запас: 150

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 110V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 450 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 83.6V,

Списък с желания
1N4746A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746A R1G

Част запас: 189

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 18V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Списък с желания
1N4746AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746AHA0G

Част запас: 168

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 18V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Списък с желания
1N4763A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4763A A0G

Част запас: 176

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 91V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 69.2V,

Списък с желания
1N4747AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4747AHR1G

Част запас: 173

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 20V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Списък с желания
1M180Z R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M180Z R1G

Част запас: 202

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 180V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 136.8V,

Списък с желания
1N4741A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4741A R1G

Част запас: 156

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 11V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Списък с желания
1N4749AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4749AHR1G

Част запас: 128

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 24V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Списък с желания
1N4758A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4758A R1G

Част запас: 167

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 56V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Списък с желания
1N4740AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4740AHB0G

Част запас: 160

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 10V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 8.4V,

Списък с желания
1M200Z R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M200Z R1G

Част запас: 171

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 200V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 1500 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 152V,

Списък с желания
1N4753AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4753AHR1G

Част запас: 142

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 36V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 27.4V,

Списък с желания
1N4747A R1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4747A R1G

Част запас: 119

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 20V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Списък с желания
1N4751AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4751AHR1G

Част запас: 172

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 30V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Списък с желания
1M120ZHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1M120ZHB0G

Част запас: 131

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 120V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 550 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 91.2V,

Списък с желания
1N4746AHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746AHR1G

Част запас: 123

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 18V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Списък с желания
1N4743A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4743A A0G

Част запас: 177

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 13V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 29.7V,

Списък с желания
1N4761A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4761A A0G

Част запас: 179

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 75V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 175 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 56V,

Списък с желания
1N4752AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4752AHA0G

Част запас: 207

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 33V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 25.1V,

Списък с желания
1N4756AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4756AHA0G

Част запас: 161

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 47V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 35.8V,

Списък с желания
1N4755AHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4755AHB0G

Част запас: 170

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 43V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 32.7V,

Списък с желания
1N4746A B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4746A B0G

Част запас: 132

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 18V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Списък с желания
1N4759A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N4759A A0G

Част запас: 169

Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 62V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 1W, Импеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 47.1V,

Списък с желания