Диоди - Изправители - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 100

HS3F V6G

Част запас: 141

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1GHM2G

Част запас: 121

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR315S V6G

Част запас: 136

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

S1DB M4G

Част запас: 110

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK510C V6G

Част запас: 46

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

S1BB R5G

Част запас: 76

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2CHM4G

Част запас: 132

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK52B M4G

Част запас: 133

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR460S V6G

Част запас: 60

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

RS2D M4G

Част запас: 105

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK115BHR5G

Част запас: 89

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1A M2G

Част запас: 142

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SS215 M4G

Част запас: 117

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

HS5F V6G

Част запас: 56

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

HS1J M2G

Част запас: 64

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

S10JC V6G

Част запас: 64

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SS15HR3G

Част запас: 113

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

S4M V6G

Част запас: 54

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 4A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.5µs,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

S3BBHR5G

Част запас: 50

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.5µs,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SSL23HR5G

Част запас: 128

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 410mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

RS3A V6G

Част запас: 48

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK14B R5G

Част запас: 68

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

HS3J V7G

Част запас: 90

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK34B M4G

Част запас: 140

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SKL13BHR5G

Част запас: 46

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 390mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK33AHR3G

Част запас: 131

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1603GHC0G

Част запас: 104

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK33BHM4G

Част запас: 129

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

S1KB M4G

Част запас: 57

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

S1KB R5G

Част запас: 66

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160S M4G

Част запас: 139

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

S1KBHR5G

Част запас: 136

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340S V7G

Част запас: 119

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160SHR5G

Част запас: 142

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

HS2AA M2G

Част запас: 88

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK39BHM4G

Част запас: 132

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания