Диоди - Изправители - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 100

SK320BHM4G

Част запас: 90

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1CHM2G

Част запас: 46

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK36BHR5G

Част запас: 88

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK25AHM2G

Част запас: 136

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK53BHR5G

Част запас: 61

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

HS3D V7G

Част запас: 74

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

US1AHM2G

Част запас: 85

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SSL32 V7G

Част запас: 82

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

RS3K V7G

Част запас: 120

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SSL22 R5G

Част запас: 50

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 410mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

HS5D V6G

Част запас: 78

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

S5G V6G

Част запас: 133

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.5µs,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

S5GB M4G

Част запас: 91

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2BHM4G

Част запас: 121

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

S1BB M4G

Част запас: 143

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

HS1D M2G

Част запас: 139

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 50ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

US1M M2G

Част запас: 144

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK22A M2G

Част запас: 91

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3A V7G

Част запас: 63

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

ES3C V6G

Част запас: 121

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SS13 M2G

Част запас: 96

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FAHM2G

Част запас: 132

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK510B M4G

Част запас: 117

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK86C V6G

Част запас: 45

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK33A M2G

Част запас: 108

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK56BHM4G

Част запас: 61

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SK36BHM4G

Част запас: 87

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1045HC0G

Част запас: 145

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF506G C0G

Част запас: 69

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

UF1DLW RVG

Част запас: 72

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 20ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

HERAF806G C0G

Част запас: 102

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 80ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SRA8150 C0G

Част запас: 133

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF504G C0G

Част запас: 111

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980mV @ 2.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2001GHC0G

Част запас: 93

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

SFF502G C0G

Част запас: 147

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980mV @ 2.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1090HC0G

Част запас: 69

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания