Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

  • У дома
  •  
  • Диоди - Изправители - единични
SF68GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF68GHR0G

Част запас: 116

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 6A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
TSS43U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS43U RGG

Част запас: 172

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
TSS54U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS54U RGG

Част запас: 145

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
S15JC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15JC M6G

Част запас: 165

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 15A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
TSN520M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S4G

Част запас: 204

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
TSP15H200S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15H200S S1G

Част запас: 159

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 890mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
ES1LGHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LGHM2G

Част запас: 181

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
TSN525M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN525M60 S4G

Част запас: 146

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 630mV @ 25A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
TSS0230U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230U RGG

Част запас: 162

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания
S15KC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15KC M6G

Част запас: 221

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 15A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
S15GC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15GC M6G

Част запас: 158

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 15A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
TSS40U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS40U RGG

Част запас: 193

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 40mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 5ns,

Списък с желания
S15MC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15MC M6G

Част запас: 137

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 15A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
TSSW3U45 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45 RVG

Част запас: 218

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 470mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
TSSA3U60 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U60 M2G

Част запас: 146

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 540mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
ES3JB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3JB M4G

Част запас: 154

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.45V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
TSSE3U60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSE3U60 RVG

Част запас: 168

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
TSSW3U45HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45HRVG

Част запас: 140

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 470mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
MUR315S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR315S V7G

Част запас: 116

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
TSS83L45 MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS83L45 MXG

Част запас: 201

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 560mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
ES1LG M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG M2G

Част запас: 170

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
TSN520M60 S3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S3G

Част запас: 161

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
ES1LJ M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ M2G

Част запас: 174

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
TSS0340U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0340U RGG

Част запас: 173

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 30mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 370mV @ 1mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания
TSS0230LU RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230LU RGG

Част запас: 167

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 200mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Списък с желания
UGF5JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF5JHC0G

Част запас: 127

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 3V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

Списък с желания
UGF8JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF8JDHC0G

Част запас: 196

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.3V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

Списък с желания
TSP15U120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15U120S S1G

Част запас: 122

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
ES1LG R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG R3G

Част запас: 185

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
TSSA3U45 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U45 M2G

Част запас: 164

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 480mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
ES1LJ R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ R3G

Част запас: 195

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
ES1LJHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJHM2G

Част запас: 136

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 35ns,

Списък с желания
UGF12J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12J C0G

Част запас: 166

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 12A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2V @ 12A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 20ns,

Списък с желания
RSFALHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHMTG

Част запас: 184

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 500mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 500mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

Списък с желания
SS210L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L MQG

Част запас: 209

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания
SS22LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHMHG

Част запас: 154

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Списък с желания