Транзистори - FET, MOSFET - единични

У дома
Транзистори - FET, MOSFET - единични

Texas Instruments

CSD16340Q3

Част запас: 155301

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 8V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD17579Q3A

Част запас: 156545

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 8A, 10V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD25484F4

Част запас: 145376

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 500mA, 8V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD17483F4

Част запас: 116376

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 8V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD13202Q2

Част запас: 108785

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 5A, 4.5V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD15380F3

Част запас: 175405

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190 mOhm @ 100mA, 8V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD16323Q3

Част запас: 159492

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 24A, 8V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD17527Q5A

Част запас: 156659

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 65A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 11A, 10V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD17501Q5A

Част запас: 87988

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD25310Q2

Част запас: 158694

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD18531Q5A

Част запас: 100811

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 19A (Ta), 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 22A, 10V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD22202W15

Част запас: 183526

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 8V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 2A, 4.5V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD23381F4

Част запас: 140192

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.3A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD17484F4

Част запас: 124610

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121 mOhm @ 500mA, 8V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD25484F4T

Част запас: 191418

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 500mA, 8V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD17510Q5A

Част запас: 153395

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD25481F4

Част запас: 177069

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 500mA, 8V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD23202W10

Част запас: 178668

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD17308Q3

Част запас: 174085

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), 44A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3 mOhm @ 10A, 8V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD16322Q5

Част запас: 145766

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 97A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 8V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD13381F4

Част запас: 132010

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.1A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD16321Q5

Част запас: 95536

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 8V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD13201W10

Част запас: 125239

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.6A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD17552Q5A

Част запас: 175536

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD25402Q3A

Част запас: 198958

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 76A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 4.5V,

Списък с желания

Texas Instruments

CSD17484F4T

Част запас: 164993

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121 mOhm @ 500mA, 8V,

Списък с желания

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»