Транзистори - FET, MOSFET - масиви

CSD87501LT

CSD87501LT

Част запас: 108175

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

Списък с желания
CSD87501L

CSD87501L

Част запас: 154135

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

Списък с желания
CSD75207W15

CSD75207W15

Част запас: 132615

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162 mOhm @ 1A, 1.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Списък с желания
CSD87502Q2

CSD87502Q2

Част запас: 178572

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Списък с желания
CSD86336Q3D

CSD86336Q3D

Част запас: 10837

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA,

Списък с желания
CSD87335Q3DT

CSD87335Q3DT

Част запас: 56706

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

Списък с желания
CSD86311W1723

CSD86311W1723

Част запас: 155741

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 2A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Списък с желания
CSD86356Q5D

CSD86356Q5D

Част запас: 10781

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA,

Списък с желания
CSD87351ZQ5D

CSD87351ZQ5D

Част запас: 82239

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Списък с желания
CSD87334Q3DT

CSD87334Q3DT

Част запас: 56420

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания
CSD88537NDT

CSD88537NDT

Част запас: 78894

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA,

Списък с желания
CSD75208W1015T

CSD75208W1015T

Част запас: 192795

FET тип: 2 P-Channel (Dual) Common Source, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Списък с желания
TPIC1502DW

TPIC1502DW

Част запас: 2715

Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA,

Списък с желания
CSD75204W15

CSD75204W15

Част запас: 2796

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Списък с желания
CSD75211W1723

CSD75211W1723

Част запас: 2778

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Списък с желания
CSD75205W1015

CSD75205W1015

Част запас: 2801

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA,

Списък с желания
CSD87353Q5D

CSD87353Q5D

Част запас: 60491

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Списък с желания
CSD87352Q5D

CSD87352Q5D

Част запас: 98681

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA,

Списък с желания
CSD87333Q3D

CSD87333Q3D

Част запас: 148026

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3 mOhm @ 4A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Списък с желания
CSD75208W1015

CSD75208W1015

Част запас: 129424

FET тип: 2 P-Channel (Dual) Common Source, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Списък с желания
CSD87330Q3D

CSD87330Q3D

Част запас: 109566

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Списък с желания
CSD86330Q3D

CSD86330Q3D

Част запас: 82595

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 14A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Списък с желания
CSD87351Q5D

CSD87351Q5D

Част запас: 82196

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 20A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Списък с желания
CSD87502Q2T

CSD87502Q2T

Част запас: 139751

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Списък с желания
CSD85302L

CSD85302L

Част запас: 146505

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Standard,

Списък с желания
CSD86360Q5D

CSD86360Q5D

Част запас: 67326

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Списък с желания
CSD88537ND

CSD88537ND

Част запас: 132851

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA,

Списък с желания
CSD87588N

CSD87588N

Част запас: 140862

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

Списък с желания