Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - FET, MOSFET - единични
SIE822DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE822DF-T1-GE3

Част запас: 51914

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 18.3A, 10V,

Списък с желания
SI4124DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4124DY-T1-GE3

Част запас: 73658

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 10V,

Списък с желания
SI7190ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SI7190ADP-T1-RE3

Част запас: 5803

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 4.3A, 10V,

Списък с желания
SQD40P10-40L_GE3
Vishay Siliconix

SQD40P10-40L_GE3

Част запас: 60955

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 38A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8.2A, 10V,

Списък с желания
SI3410DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3410DV-T1-GE3

Част запас: 156571

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 5A, 10V,

Списък с желания
SI7336ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7336ADP-T1-GE3

Част запас: 110398

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
SIR804DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR804DP-T1-GE3

Част запас: 53636

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SI7110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7110DN-T1-GE3

Част запас: 70542

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 21.1A, 10V,

Списък с желания
SQP60N06-15_GE3
Vishay Siliconix

SQP60N06-15_GE3

Част запас: 7998

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 56A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
SQD50N04-4M5L_GE3
Vishay Siliconix

SQD50N04-4M5L_GE3

Част запас: 8005

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SIHA2N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHA2N80E-GE3

Част запас: 7877

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

Списък с желания
SIHJ240N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHJ240N60E-T1-GE3

Част запас: 8086

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 5.5A, 10V,

Списък с желания
SQD50P04-09L_GE3
Vishay Siliconix

SQD50P04-09L_GE3

Част запас: 51976

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 17A, 10V,

Списък с желания
SQM40N10-30_GE3
Vishay Siliconix

SQM40N10-30_GE3

Част запас: 63899

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
SIS443DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS443DN-T1-GE3

Част запас: 103467

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
SIR640ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR640ADP-T1-GE3

Част запас: 79620

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 41.6A (Ta), 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SIHH11N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH11N60E-T1-GE3

Част запас: 44430

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 339 mOhm @ 5.5A, 10V,

Списък с желания
SIJ420DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ420DP-T1-GE3

Част запас: 80903

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
TN2404K-T1-E3
Vishay Siliconix

TN2404K-T1-E3

Част запас: 154551

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 240V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 300mA, 10V,

Списък с желания
SQR40N10-25_GE3
Vishay Siliconix

SQR40N10-25_GE3

Част запас: 70517

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 40A, 10V,

Списък с желания
SI5457DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5457DC-T1-GE3

Част запас: 181431

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.9A, 4.5V,

Списък с желания
SQM40010EL_GE3
Vishay Siliconix

SQM40010EL_GE3

Част запас: 44193

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
SQD50P06-15L_GE3
Vishay Siliconix

SQD50P06-15L_GE3

Част запас: 51969

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V,

Списък с желания
SI4124DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4124DY-T1-E3

Част запас: 73664

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 10V,

Списък с желания
SQD50P08-28_GE3
Vishay Siliconix

SQD50P08-28_GE3

Част запас: 7970

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 48A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 12.5A, 10V,

Списък с желания
SQ2362ES-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ2362ES-T1_GE3

Част запас: 123435

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 4.5A, 10V,

Списък с желания
SUM60N10-17-E3
Vishay Siliconix

SUM60N10-17-E3

Част запас: 54289

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
SI4368DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-E3

Част запас: 80738

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
SQJQ100EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ100EL-T1_GE3

Част запас: 54810

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SQ2310ES-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ2310ES-T1_GE3

Част запас: 108359

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V,

Списък с желания
SQM40022E_GE3
Vishay Siliconix

SQM40022E_GE3

Част запас: 7937

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 150A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63 mOhm @ 35A, 10V,

Списък с желания
SUM90220E-GE3
Vishay Siliconix

SUM90220E-GE3

Част запас: 24530

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 64A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
SI4425DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4425DDY-T1-GE3

Част запас: 199634

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 19.7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 13A, 10V,

Списък с желания
SQM70060EL_GE3
Vishay Siliconix

SQM70060EL_GE3

Част запас: 59019

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
SQP100N04-3M6_GE3
Vishay Siliconix

SQP100N04-3M6_GE3

Част запас: 5795

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
SIR826ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR826ADP-T1-GE3

Част запас: 60175

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания