Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - FET, MOSFET - единични
SISS40DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS40DN-T1-GE3

Част запас: 132140

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 36.5A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
SIS892ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS892ADN-T1-GE3

Част запас: 153441

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
SQS462EN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS462EN-T1_GE3

Част запас: 176128

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 4.3A, 10V,

Списък с желания
SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2309CDS-T1-GE3

Част запас: 133640

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345 mOhm @ 1.25A, 10V,

Списък с желания
SIR632DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR632DP-T1-RE3

Част запас: 46133

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 29A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
SUD50N04-8M8P-4GE3
Vishay Siliconix

SUD50N04-8M8P-4GE3

Част запас: 180869

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ444EP-T1_GE3

Част запас: 136708

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
SI3483CDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3483CDV-T1-E3

Част запас: 163997

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

Списък с желания
SI4116DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-E3

Част запас: 132173

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
SISS70DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS70DN-T1-GE3

Част запас: 7742

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 125V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8.5A (Ta), 31A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8 mOhm @ 8.5A, 10V,

Списък с желания
SQJ431AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ431AEP-T1_GE3

Част запас: 7752

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305 mOhm @ 3.8A, 10V,

Списък с желания
SI4168DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4168DY-T1-GE3

Част запас: 139862

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 24A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SIS476DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS476DN-T1-GE3

Част запас: 139920

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
SI2312BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2312BDS-T1-E3

Част запас: 129611

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.9A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 4.5V,

Списък с желания
SIJ478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ478DP-T1-GE3

Част запас: 100614

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SQS401ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS401ENW-T1_GE3

Част запас: 7505

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 12A, 10V,

Списък с желания
SI8816EDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8816EDB-T2-E1

Част запас: 154242

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 1A, 10V,

Списък с желания
SIR414DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR414DP-T1-GE3

Част запас: 93996

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SQ4080EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4080EY-T1_GE3

Част запас: 136730

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
SIHU7N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHU7N60E-GE3

Част запас: 83621

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Списък с желания
SI3430DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-GE3

Част запас: 180804

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

Списък с желания
SQ4435EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4435EY-T1_GE3

Част запас: 7729

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

Списък с желания
SQ4410EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4410EY-T1_GE3

Част запас: 118930

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
SQJ858EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ858EP-T1_GE3

Част запас: 7678

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

Списък с желания
SIR820DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR820DP-T1-GE3

Част запас: 7711

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
SQD100N02-3M5L_GE3
Vishay Siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

Част запас: 7693

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

Списък с желания
SQJA94EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJA94EP-T1_GE3

Част запас: 165168

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 46A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
SI3430DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-E3

Част запас: 180858

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

Списък с желания
SIHD2N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD2N80E-GE3

Част запас: 7705

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.8A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

Списък с желания
SIJ462DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ462DP-T1-GE3

Част запас: 115885

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 46.5A(Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SQJ840EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ840EP-T1_GE3

Част запас: 101267

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 10.3A, 10V,

Списък с желания
SQ4153EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4153EY-T1_GE3

Част запас: 7793

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 25A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V,

Списък с желания
SI4630DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-GE3

Част запас: 99320

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Списък с желания
SIRA58ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA58ADP-T1-RE3

Част запас: 7640

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32.3A (Ta), 109A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
SI7686DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7686DP-T1-GE3

Част запас: 96713

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V,

Списък с желания
SQJ464EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ464EP-T1_GE3

Част запас: 5838

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.1A, 10V,

Списък с желания