Транзистори - JFET

2N4861JTXV02

Част запас: 3432

2N4861JTXL02

Част запас: 3427

2N4861JTX02

Част запас: 3432

2N4861JAN02

Част запас: 3401

2N4860JTXV02

Част запас: 3409

2N4860JTX02

Част запас: 3474

2N4860JTXL02

Част запас: 3414

2N4859JTXV02

Част запас: 3481

2N4860JAN02

Част запас: 3459

2N4859JTXL02

Част запас: 3423

2N4859JTX02

Част запас: 3441

2N4858JTXV02

Част запас: 3426

2N4859JAN02

Част запас: 3409

2N4858JTX02

Част запас: 3436

2N4857JTXV02

Част запас: 3415

2N4858JAN02

Част запас: 3471

2N4857JTXL02

Част запас: 3366

2N4857JTX02

Част запас: 3482

2N4857JAN02

Част запас: 3408

2N4856JTXV02

Част запас: 3465

2N4856JTX02

Част запас: 3445

2N4856JTXL02

Част запас: 3436

2N4856JAN02

Част запас: 3450

2N4416-E3

Част запас: 3403

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 1nA,

2N4416A-2

Част запас: 3460

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 1nA,

2N4416A-E3

Част запас: 3476

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 1nA,

2N4416A

Част запас: 9913

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 35V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 1nA,

2N4416

Част запас: 3466

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 1nA,

2N4393-E3

Част запас: 3433

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1nA,

2N4393-2

Част запас: 3402

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 1nA,

2N4392-E3

Част запас: 3449

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,

2N4392-2

Част запас: 3467

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,

2N4391-2

Част запас: 3382

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 1nA,

2N4339-2

Част запас: 3437

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 50V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100nA,

2N4339-E3

Част запас: 3436

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 50V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100nA,

2N4339

Част запас: 3408

FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 50V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 100nA,