FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 50V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 300mV @ 100nA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1nA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 600mV @ 1nA,
FET тип: 2 N-Channel (Dual), Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1nA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 300mV @ 10nA,
FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.8V @ 1µA,
FET тип: 2 N-Channel (Dual), Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1nA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 3V @ 1nA,
FET тип: 2 N-Channel (Dual), Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 1nA,
FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 40V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1V @ 1µA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 300mV @ 10nA,
FET тип: P-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 5V @ 10nA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 4V @ 3nA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 30V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 1.5V @ 3nA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2.5V @ 1nA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 2V @ 10nA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 300mV @ 10nA,
FET тип: N-Channel, Напрежение - разбивка (V (BR) GSS): 25V, Ток - източване (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напрежение - прекъсване (VGS изключено) @ Id: 500mV @ 10nA,
