Диоди - Изправители - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 100

AS4PKHM3_A/H

Част запас: 128809

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2.4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.8µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PM-M3/86A

Част запас: 101261

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 120ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3_A/H

Част запас: 122697

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 140ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PG-M3/87A

Част запас: 175261

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 2.4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 962mV @ 2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.8µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3_A/I

Част запас: 174400

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 120ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PMHM3_A/H

Част запас: 166135

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 120ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PM-M3/87A

Част запас: 130544

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 2.4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 962mV @ 2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.8µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3_A/I

Част запас: 127625

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.7A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PB-M3/84A

Част запас: 145387

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.5µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PBHM3/85A

Част запас: 111526

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.5µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PB-M3/85A

Част запас: 167419

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.5µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PBHM3/84A

Част запас: 169851

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.15V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.5µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3BJHM3/52T

Част запас: 2002

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.5µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3BJHM3/5BT

Част запас: 2001

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.5µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PMHM3/86A

Част запас: 1569

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PMHM3/87A

Част запас: 1586

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PKHM3/87A

Част запас: 1558

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PKHM3/86A

Част запас: 1511

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3/87A

Част запас: 5221

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.7A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3/86A

Част запас: 1534

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.7A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3/86A

Част запас: 1562

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.7A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3/87A

Част запас: 1586

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.7A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3/86A

Част запас: 1572

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.7A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3/87A

Част запас: 1534

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.7A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PMHM3/87A

Част запас: 1592

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.3A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3/87A

Част запас: 1551

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PKHM3/86A

Част запас: 1606

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.3A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.5V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3/87A

Част запас: 5191

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3/86A

Част запас: 1598

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3/86A

Част запас: 1575

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3/87A

Част запас: 1556

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3/87A

Част запас: 1536

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 2.4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 962mV @ 2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.8µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3/86A

Част запас: 1553

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.6A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.9V @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 75ns,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3/87A

Част запас: 1585

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2.4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 962mV @ 2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.8µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3/86A

Част запас: 1567

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 2.4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 962mV @ 2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.8µs,

Списък с желания

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3/86A

Част запас: 1563

Тип диод: Avalanche, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 2.4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 962mV @ 2A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 1.8µs,

Списък с желания