Тип | Описание |
Състояние на частта | Active |
---|---|
FET тип | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
Функция FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 100V |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 1.7A, 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
Мощност - Макс | - |
Работна температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип на монтажа | Surface Mount |
Опаковка / калъф | 9-VFBGA |
Пакет с устройства на доставчика | 9-BGA (1.35x1.35) |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |