Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 100

MF200K06F2-BP

Част запас: 2096

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURTA60040R

Част запас: 1014

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A060

Част запас: 3220

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURT20005

Част запас: 1230

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MUR20010CTR

Част запас: 1241

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)D

Част запас: 1863

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURTA40040R

Част запас: 964

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MSRT100140(A)D

Част запас: 1918

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT60035R

Част запас: 968

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A150

Част запас: 2527

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 160A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT20035R

Част запас: 1367

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MUR40010CTR

Част запас: 1252

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 125A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MUR30010CTR

Част запас: 1392

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CTR

Част запас: 1502

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MUR20005CT

Част запас: 1207

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR300200CT

Част запас: 1452

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A04

Част запас: 2843

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MUR30040CTR

Част запас: 1329

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR12060CT

Част запас: 1522

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A060

Част запас: 3312

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

FST100200

Част запас: 1661

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT500100R

Част запас: 1083

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURTA40020R

Част запас: 985

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CTPBF

Част запас: 37

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

ON Semiconductor

SBAS40-06LT1G

Част запас: 116103

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 40mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание

ON Semiconductor

MBR4045WTG

Част запас: 18105

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

ON Semiconductor

MMBD1405A

Част запас: 134157

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 175V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 200mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание

ON Semiconductor

NRVBD650CTT4G-VF01

Част запас: 146097

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

ON Semiconductor

NRVBB2060CTT4G

Част запас: 161027

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

MSCD200-12

Част запас: 1707

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

MSCD200-16

Част запас: 1634

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Infineon Technologies

DD340N18SHPSA1

Част запас: 72

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1800V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 330A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

STMicroelectronics

STPSC20H065CWY

Част запас: 9239

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 650V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.75V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Sensata-Crydom

F1892RD1200

Част запас: 738

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 90A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 270A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Power Integrations

LQA10N150C

Част запас: 150976

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Sanken

FMD-4206S

Част запас: 20421

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание