Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Токоизправители - Масиви

NRVHP620MFDT1G
ON Semiconductor

NRVHP620MFDT1G

Част запас: 110114

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
NTSV20H120ECTG
ON Semiconductor

NTSV20H120ECTG

Част запас: 186022

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBRF2050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2050CT C0G

Част запас: 153

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBRF20L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CTHC0G

Част запас: 95

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
UG1006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG1006GHC0G

Част запас: 130

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
STPS1545CG-TR
STMicroelectronics

STPS1545CG-TR

Част запас: 105409

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 7.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
RB706D-40T146
Rohm Semiconductor

RB706D-40T146

Част запас: 102011

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 370mV @ 1mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание
MBRT12020R
GeneSiC Semiconductor

MBRT12020R

Част запас: 1833

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR2X160A100
GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A100

Част запас: 2757

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 160A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
FST120200
GeneSiC Semiconductor

FST120200

Част запас: 1639

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MSRTA300120(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRTA300120(A)D

Част запас: 1322

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
MUR10005CT
GeneSiC Semiconductor

MUR10005CT

Част запас: 1579

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MUR20020CT
GeneSiC Semiconductor

MUR20020CT

Част запас: 1243

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MSRT200160(A)D
GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)D

Част запас: 1391

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
MUR2X100A06
GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A06

Част запас: 3294

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR200100CT
GeneSiC Semiconductor

MBR200100CT

Част запас: 1490

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR12020CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR12020CTR

Част запас: 1553

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBR30030CT
GeneSiC Semiconductor

MBR30030CT

Част запас: 1489

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
MUR2X100A10
GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A10

Част запас: 3311

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.35V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
MBRT12045
GeneSiC Semiconductor

MBRT12045

Част запас: 1864

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
FST16045
GeneSiC Semiconductor

FST16045

Част запас: 1496

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 160A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VFT1045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1045CBP-M3/4W

Част запас: 147491

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VFT2060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2060G-E3/4W

Част запас: 156407

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V60D45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60D45C-M3/I

Част запас: 32760

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 640mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VIT2060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2060C-E3/4W

Част запас: 141541

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VT4060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT4060C-E3/4W

Част запас: 69524

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 620mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VIT2080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080C-M3/4W

Част запас: 118184

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 810mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VF40150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40150C-M3/4W

Част запас: 91361

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.43V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
VFT6045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT6045C-M3/4W

Част запас: 54606

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 640mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V30M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30M120C-M3/4W

Част запас: 99774

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V40PW60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60CHM3/I

Част запас: 108899

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 680mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
V30D45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V30D45C-M3/I

Част запас: 41859

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
SBR1545CT
SMC Diode Solutions

SBR1545CT

Част запас: 121214

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
SDURF3040CTR
SMC Diode Solutions

SDURF3040CTR

Част запас: 169247

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.45V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
SBR40100CT
Diodes Incorporated

SBR40100CT

Част запас: 26567

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Super Barrier, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 820mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
LQA40T150C
Power Integrations

LQA40T150C

Част запас: 36324

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание