Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 100

MBRT200150

Част запас: 1643

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTR

Част запас: 971

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060

Част запас: 1363

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MUR30020CT

Част запас: 1118

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURTA40020

Част запас: 990

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MUR40040CTR

Част запас: 1247

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 125A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CTR

Част запас: 1311

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR400200CT

Част запас: 1516

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A080

Част запас: 3862

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020R

Част запас: 997

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT200100R

Част запас: 1601

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT40030R

Част запас: 1342

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR12035CT

Част запас: 1538

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR50060CT

Част запас: 1162

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT50020R

Част запас: 1081

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR40060CT

Част запас: 1224

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT12080R

Част запас: 1843

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR50030CTR

Част запас: 1126

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A12

Част запас: 2471

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 2.35V @ 120A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CT

Част запас: 1571

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100R

Част запас: 949

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020

Част запас: 1000

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 100A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT600150R

Част запас: 892

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

FST16030

Част запас: 1497

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 160A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 160A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200120(A)D

Част запас: 1326

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080R

Част запас: 1388

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 880mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300140(A)D

Част запас: 1362

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Powerex Inc.

LDR11666

Част запас: 41

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 660A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1978A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

UHB20FCT-E3/4W

Част запас: 44467

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 300V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CPQ150PBF

Част запас: 13698

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 830mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30200C-E3/4W

Част запас: 26870

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

ON Semiconductor

NRVBD640CTG-VF01

Част запас: 107735

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Sensata-Crydom

F1892CCD400

Част запас: 927

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 90A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 270A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Micro Commercial Co

MD240C16D2-BP

Част запас: 1195

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 240A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 300A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

STMicroelectronics

STPS10170CT

Част запас: 67201

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 170V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

IXYS

DSS2X101-02A

Част запас: 2894

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 940mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание