Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 100

MBR15150CTHC0G

Част запас: 100

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.05V @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1608PT C0G

Част запас: 121

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CTHC0G

Част запас: 135

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 820mV @ 12.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SR10150 C0G

Част запас: 104

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1001 C0G

Част запас: 148

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CT C0G

Част запас: 109

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640PTHC0G

Част запас: 95

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035PT C0G

Част запас: 85

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045CTHC0G

Част запас: 83

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 820mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L120CTHC0G

Част запас: 143

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1620CT C0G

Част запас: 126

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 975mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3050CT C0G

Част запас: 94

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 770mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20100PT C0G

Част запас: 129

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CT MNG

Част запас: 95

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 25A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF25150CT C0G

Част запас: 74

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 25A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.02V @ 25A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150CTHC0G

Част запас: 115

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.02V @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Sanken

FMX-4206S

Част запас: 40926

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Sanken

MPL-102SVR

Част запас: 80794

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB3045CTR-M3

Част запас: 78011

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 760mV @ 30A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNHM3

Част запас: 81440

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 3.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 960mV @ 6A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

V6KL45DUHM3/I

Част запас: 118437

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 540mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH02HM3/86A

Част запас: 185066

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ06FN-M3

Част запас: 187229

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 610mV @ 6A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2035CT-M3

Част запас: 101507

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2045CT-1-M3

Част запас: 99402

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CSH02-M3/87A

Част запас: 179933

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980V @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ100-1-M3

Част запас: 86626

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 860mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MSRT250160(A)

Част запас: 1410

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 250A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 250A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Panasonic Electronic Components

DB3S314F0L

Част запас: 152564

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 30mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание

Microsemi Corporation

MBR3050CTE3/TU

Част запас: 83420

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Comchip Technology

C3045CT-G

Част запас: 80

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 30A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

STMicroelectronics

STTH2002CR

Част запас: 34228

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

STMicroelectronics

STTH16R04CG-TR

Част запас: 73963

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 8A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Rohm Semiconductor

RB238NS150FHTL

Част запас: 88

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Rohm Semiconductor

RB095BGE-60TL

Част запас: 69

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 3A,

За желание

ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDT3G

Част запас: 131

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 910mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание