Оптични сензори - Фотопрекъсвачи - Тип слот - Тран

PM-R24-R

Част запас: 6024

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

PM-L54P

Част запас: 6115

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

PM-L24-R

Част запас: 9702

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

PM-F54P

Част запас: 6040

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: PNP - Open Collector, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB872N55TX

Част запас: 401

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB811W55

Част запас: 9675

Сензорно разстояние: 0.375" (9.53mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPS695

Част запас: 6038

Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB890N51Z

Част запас: 6073

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB866L51

Част запас: 5939

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB862P55

Част запас: 5947

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB821S10

Част запас: 6106

Сензорно разстояние: 0.080" (2.03mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB870L51TX

Част запас: 336

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB870P51TXV

Част запас: 280

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB876L55

Част запас: 5986

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB872T51TXV

Част запас: 292

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPB881L55Z

Част запас: 20880

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

OPS696

Част запас: 5937

Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

WFM80-60P321

Част запас: 69

Сензорно разстояние: 3.150" (80mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: PNP,

UFN3-70P415

Част запас: 36

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: PNP,

WF50-95B410

Част запас: 117

Сензорно разстояние: 1.969" (50mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: PNP/NPN,

HOA0865-N51

Част запас: 18207

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Transistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

HOA0877-L55

Част запас: 25989

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Transistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

HOA0865-L51

Част запас: 36852

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Transistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

HOA1872-013

Част запас: 9672

Сензорно разстояние: 0.100" (2.54mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V,

HOA1883-011

Част запас: 20288

Сензорно разстояние: 0.140" (3.56mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

HOA0892-P55

Част запас: 6005

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Transistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

HOA0825-002

Част запас: 19541

Сензорно разстояние: 0.165" (4.2mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Transistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

H22B6

Част запас: 5971

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

OPB705W

Част запас: 9616

QVA11134

Част запас: 6048

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

CNZ1021

Част запас: 6054

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

EE-SX975P-C1

Част запас: 1851

Сензорно разстояние: 0.020" (0.5mm), Метод на засичане: Transmissive, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

EE-SX914P-C1J-R 0.3M

Част запас: 5983

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: PNP - Open Collector,

GP1S097HCZ

Част запас: 5970

Сензорно разстояние: 0.079" (2mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V,

LTH-306-07W2

Част запас: 4024

RPI-0128T81

Част запас: 123833

Сензорно разстояние: 0.047" (1.2mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 30mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,