Оптични сензори - Фотопрекъсвачи - Тип слот - Тран

OPB877P55

OPB877P55

Част запас: 6009

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
OPB870N55TX

OPB870N55TX

Част запас: 328

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
OPB390L11Z

OPB390L11Z

Част запас: 17597

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
OPB871N51TX

OPB871N51TX

Част запас: 347

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
OPB860P51

OPB860P51

Част запас: 5987

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
OPB390P55

OPB390P55

Част запас: 6045

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
OPB872T55TXV

OPB872T55TXV

Част запас: 327

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
OPB857

OPB857

Част запас: 6015

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
OPB852A1

OPB852A1

Част запас: 36623

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
OPB871T51

OPB871T51

Част запас: 38346

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
OPB842W51

OPB842W51

Част запас: 6080

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
OPB801W55

OPB801W55

Част запас: 6003

Сензорно разстояние: 0.375" (9.53mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
EE-SX1107

EE-SX1107

Част запас: 88000

Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 25mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V,

За желание
EE-SA113

EE-SA113

Част запас: 5994

Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
EE-SJ3-C

EE-SJ3-C

Част запас: 13316

Сензорно разстояние: 0.134" (3.4mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
H22B5

H22B5

Част запас: 6101

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

За желание
H21A4

H21A4

Част запас: 6059

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V,

За желание
QVE11233

QVE11233

Част запас: 5993

Сензорно разстояние: 0.150" (3.81mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
QVA21114

QVA21114

Част запас: 6045

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
GP1S094HCZ

GP1S094HCZ

Част запас: 9672

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V,

За желание
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Част запас: 5990

Сензорно разстояние: 0.118" (3mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Photodarlington, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V,

За желание
WFM80-60N321

WFM80-60N321

Част запас: 106

Сензорно разстояние: 3.150" (80mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: NPN,

За желание
WF120-40B416

WF120-40B416

Част запас: 63

Сензорно разстояние: 4.724" (120mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: PNP/NPN,

За желание
WF50-60B410

WF50-60B410

Част запас: 113

Сензорно разстояние: 1.969" (50mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: PNP/NPN,

За желание
WFM180-120P321

WFM180-120P321

Част запас: 40

Сензорно разстояние: 7.087" (180mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: PNP,

За желание
WFM180-120N311

WFM180-120N311

Част запас: 53

Сензорно разстояние: 7.087" (180mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: NPN,

За желание
WF2-40B416

WF2-40B416

Част запас: 88

Сензорно разстояние: 0.079" (2mm), Метод на засичане: Optical Flag, Изходна конфигурация: PNP/NPN,

За желание
PM-F24-R

PM-F24-R

Част запас: 6044

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
PM-T44P

PM-T44P

Част запас: 5946

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
PM-T54

PM-T54

Част запас: 6102

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
HOA0872-T55

HOA0872-T55

Част запас: 19212

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Transistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
HOA1874-011

HOA1874-011

Част запас: 9612

Сензорно разстояние: 0.120" (3.05mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
HOA1873-012

HOA1873-012

Част запас: 10378

Сензорно разстояние: 0.100" (2.54mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Phototransistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
HOA0892-L55

HOA0892-L55

Част запас: 7321

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Transistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
HOA0860-P51

HOA0860-P51

Част запас: 35037

Сензорно разстояние: 0.125" (3.18mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: Transistor, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
EE-SX913P-C1J-R 0.3M

EE-SX913P-C1J-R 0.3M

Част запас: 6054

Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Transmissive, Изходна конфигурация: PNP - Open Collector,

За желание